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参数资料
| 型号： | IDT70V5388S200BG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 18/29页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1.125MBIT 200MHZ 272BGA |
| 标准包装： | 250 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 四端口，同步 |
| 存储容量： | 1.125M（64K x 18） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 272-BBGA |
| 供应商设备封装： | 272-PBGA（27x27） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V5388S200BG8 |
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IDT70V5388/78
3.3V 64/32K x 18 Synchronous FourPort? Static RAM
Timing Waveform of Master Reset (1)
t CYC2
Industrial and Commercial Temperature Ranges
CLK
t CH2
t CL2
MRST
ALL ADDRESS/
DATA LINES
t ROF
t RS
t RSR
t S (2)
ALL OTHER
INACTIVE
ACTIVE
INPUTS
CNTINT
INT
5649 drw 16
NOTES:
1. Master Reset will reset the device. For JTAG and MBIST reset please refer to the JTAG Timing specification.
2. t S is the set-up time required for all input control signals.
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PDF描述 |
|---|---|
| 395-010-541-802 | CARD EDGE 10POS DL .100X.200 BLK |
| 395-010-541-801 | CARD EDGE 10POS DL .100X.200 BLK |
| 395-010-541-204 | CARD EDGE 10POS DL .100X.200 BLK |
| 1-487576-6 | CONN ZIF LINE 24POS VERT |
| 1-487576-3 | CONN ZIF LINE 21POS VERT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V631S10BC | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,500 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（单线） 电源电压:1.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） 供应商设备封装:8-MSOP 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V631S10BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V631S10BCG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V631S10BCG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V631S10BF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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