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参数资料
| 型号： | IDT70V631S15PRF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 15NS 128TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 128-LQFP |
| 供应商设备封装： | 128-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V631S15PRF |
IDT70V631S
High-Speed 3.3V 256K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Description
The IDT70V631 is a high-speed 256K x 18 Asynchronous Dual-Port
Static RAM. The IDT70V631 is designed to be used as a stand-alone
4608K-bit Dual-Port RAM or as a combination MASTER/SLAVE Dual-
Port RAM for 36-bit-or-more word system. Using the IDT MASTER/
SLAVE Dual-Port RAM approach in 36-bit or wider memory system
applications results in full-speed, error-free operation without the need for
additional discrete logic.
This device provides two independent ports with separate control,
Pin Configurations (1,2,3,4)
Industrial and Commercial Temperature Ranges
address, and I/O pins that permit independent, asynchronous access for
reads or writes to any location in memory. An automatic power down
feature controlled by the chip enables (either CE 0 or CE 1 ) permit the
on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode.
The 70V631 can support an operating voltage of either 3.3V or 2.5V
on one or both ports, controlled by the OPT pins. The power supply for
the core of the device (V DD ) remains at 3.3V.
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A
B
C
D
I/O 9L
NC
V DDQ L
NC
NC
V SS
I/O 9R
V SS
V SS
NC
V DDQ R
I/O 10L
TDO
TDI
V DD
NC
NC
A 17 L
NC
A 1 5L
A 16L
A 13L
A 1 4L
A 11L
A 12L
A 9L
A 10L
A 7L
A 8 L
NC
UB L
LB L
NC
CE 0L
CE 1L
V DD
V DD
V SS
V SS
OE L
SEM L
BUSY L
R/ W L
NC
INT L
A 5L
A 6 L
A 3L
A 4L
A 1L
A 2L
V DD
A 0L
V SS
V DD
NC
OPT L
V DDQR
I/O 8R
V DDQ L
NC
I/O 8L
NC
I/O 7L
V SS
NC
V SS
I/O 7R
A
B
C
D
E
I/O 11L
NC
V DDQ R I/O 10R
I/O 6L
NC
V SS
NC
E
F
G
V DDQ L
NC
I/O 11R
V SS
NC
I/O 1 2L
V SS
NC
V SS
NC
I/O 6R
V DDQL
NC
I/O 5L
V DDQ R
NC
F
G
H
J
K
L
M
N
V DD
V DDQ L
I/O 14R
NC
V DDQ L
NC
NC
V DD
V SS
I/O 14L
NC
V SS
V DDQR
V SS
I/O 13R
V DDQ R
I/O 15R
NC
I/O 12R
V SS
V SS
I/O 13L
V SS
I/O 15L
70V631BF
BF-208 (5)
208-Ball BGA
Top View (6)
V DD
V S S
I/O 3R
NC
V SS
I/O 1R
NC
V DD
V DDQ L
I/O 3L
NC
V DDQ L
V SS
V SS
I/O 4R
V SS
I/O 2R
NC
I/O 5R
V DDQ R
V SS
I/O 4 L
V DDQR
I/O 2L
H
J
K
L
M
N
P
R
T
U
I/O 16R
V SS
NC
V SS
I/O 16L
NC
I/O 17L
NC
V DDQ R
I/O 17R
V DDQL
V DD
NC
TCK
TMS
NC
TRST
A 1 7R
NC
A 15R
A 16R
A 13R
A 14R
A 11R
A 1 2R
A 9R
A 10R
A 7R
A 8 R
NC
UB R
LB R
NC
CE 0R
CE 1R
V DD
V DD
V SS
V SS
OE R
SEM R
BUSY R
R/ W R
M/ S
INT R
A 5R
A 6R
A 3R
A 4R
A 1R
A 2R
A 0R
NC
V SS
V SS
V DD
I/O 1L
V DDQL
NC
OPT R
V SS
I/O 0R
V SS
NC
NC
V DDQ R
NC
I/O 0 L
P
R
T
U
5622 tbl 02b
NOTES:
1. All V DD pins must be connected to 3.3V power supply.
2. All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V IH (3.3V) and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V IL (0V).
3. All V SS pins must be connected to ground.
4. Package body is approximately 15mm x 15mm x 1.4mm with 0.8mm ball pitch.
5. This package code is used to reference the package diagram.
6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
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PDF描述 |
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参数描述 |
|---|---|
| IDT70V631S15PRF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V639S10BC | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V639S10BC8 | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V639S10BF | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V639S10BF8 | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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