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参数资料
| 型号： | IDT70V639S15PRF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/23页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 2.25MBIT 15NS 128TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 2.25M（128K x 18） |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 128-LQFP |
| 供应商设备封装： | 128-TQFP（14x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V639S15PRF |
IDT70V639S
High-Speed 3.3V 128K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Truth Table I—Read/Write and Enable Control (1)
Byte 1
Byte 0
OE
X
X
X
X
X
X
L
L
L
H
SEM
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
CE 0
H
X
L
L
L
L
L
L
L
L
CE 1
X
L
H
H
H
H
H
H
H
H
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
L
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
L
R/ W
X
X
X
L
L
L
H
H
H
X
I/O 9-17
High-Z
High-Z
High-Z
High-Z
D IN
D IN
High-Z
D OUT
D OUT
High-Z
I/O 0-8
High-Z
High-Z
High-Z
D IN
High-Z
D IN
D OUT
High-Z
D OUT
High-Z
MODE
Deselected –Power Down
Deselected –Power Down
Both Bytes Deselected
Write to Byte 0 Only
Write to Byte 1 Only
Write to Both Bytes
Read Byte 0 Only
Read Byte 1 Only
Read Both Bytes
Outputs Disabled
5621 tbl 02
NOTE:
1. "H" = V IH, "L" = V IL, "X" = Don't Care.
Truth Table II – Semaphore Read/Write Control (1)
Inputs (1)
Outputs
CE (2)
H
H
L
R/ W
H
↑
X
OE
L
X
X
UB
L
X
X
LB
L
L
X
SEM
L
L
L
I/O 1-17
DATA OUT
X
______
I/O 0
DATA OUT
DATA IN
______
Mode
Read Data in Semaphore Flag (3)
Write I/O 0 into Semaphore Flag
Not Allowed
NOTE:
1. There are eight semaphore flags written to I/O 0 and read from all the I/Os (I/O 0 -I/O 17 ). These eight semaphore flags are addressed by A 0 -A 2 .
2. CE = L occurs when CE 0 = V IL and CE 1 = V IH .
3. Each byte is controlled by the respective UB or LB . To read data UB and/or LB = V IL .
6
5621 tbl 03
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V3599S133BF8 | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA |
| AMC65DTEN | CONN EDGECARD 130POS .100 EYELET |
| AMC65DTEH | CONN EDGECARD 130POS .100 EYELET |
| ASC65DTEF | CONN EDGECARD 130POS .100 EYELET |
| ASC65DTEN | CONN EDGECARD 130POS .100 EYELET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V639S15PRF8 | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 15NS 128TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V657S10BC | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V657S10BC8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V657S10BCG | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V657S10BF | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 10NS 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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