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参数资料
| 型号： | IDT70V659S15DR |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 15NS 208QFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 208-BFQFP |
| 供应商设备封装： | 208-PQFP（28x28） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V659S15DR |
IDT70V659/58/57S
High-Speed 3.3V 128/64/32K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM
Pin Configurations (3,4,5,6,7,8)
03/19/04
Industrial and Commercial Temperature Ranges
I/O 19L
I/O 19R
I/O 20L
I/O 20R
V DDQL
V SS
I/O 21L
I/O 21R
1
2
3
4
5
6
7
8
156
155
154
153
152
151
150
149
I/O 16L
I/O 16R
I/O 15L
I/O 15R
V SS
V DDQL
I/O 14L
I/O 14R
I/O 22L
I/O 22R
V DDQR
V SS
I/O 23L
I/O 23R
I/O 24L
I/O 24R
V DDQL
V SS
I/O 25L
I/O 25R
I/O 26L
I/O 26R
V DDQR
V SS
V DD
V DD
V SS
V SS
V DDQL
V SS
I/O 27R
I/O 27L
I/O 28R
I/O 28L
V DDQR
V SS
I/O 29R
I/O 29L
I/O 30R
I/O 30L
V DDQL
V SS
I/O 31R
I/O 31L
I/O 32R
I/O 32L
V DDQR
V SS
I/O 33R
I/O 33L
I/O 34R
I/O 34L
9
10
11
12
13
14
15
16
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19
20
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29
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38
39
40
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42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
70V659/58/57DR
DR-208 (7)
208-Pin PQFP
Top View (8)
148
147
146
145
144
143
142
141
140
139
138
137
136
135
134
133
132
131
130
129
128
127
126
125
124
123
122
121
120
119
118
117
116
115
114
113
112
111
110
109
108
107
106
105
I/O 13L
I/O 13R
V SS
V DDQR
I/O 12L
I/O 12R
I/O 11L
I/O 11R
V SS
V DDQL
I/O 10L
I/O 10R
I/O 9L
I/O 9R
V SS
V DDQR
V DD
V DD
V SS
V SS
V SS
V DDQL
I/O 8R
I/O 8L
I/O 7R
I/O 7L
V SS
V DDQR
I/O 6R
I/O 6L
I/O 5R
I/O 5L
V SS
V DDQL
I/O 4R
I/O 4L
I/O 3R
I/O 3L
V SS
V DDQR
I/O 2R
I/O 2L
I/O 1R
I/O 1L
4869 drw 02a
NOTES:
1. Pin is a NC for IDT70V658 and IDT70V657.
2. Pin is a NC for IDT70V657.
3. All V DD pins must be connected to 3.3V power supply.
4. All V DDQ pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V DD (3.3V) and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V SS (0V).
5. All V SS pins must be connected to ground.
6. Package body is approximately 28mm x 28mm x 3.5mm.
7. This package code is used to reference the package diagram.
8. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
3
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT70V7319S133BF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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