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参数资料
| 型号： | IDT70V7319S133DDI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 144TQFP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 20/Aug/2008 |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 4.5M（256K x 18） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 144-LQFP 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | 144-TQFP（20x20） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V7319S133DDI |
IDT70V7319S
High-Speed 256K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage (1)
Recommended DC Operating
Conditions with V DDQ at 2.5V
Ambient
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
Grade
Temperature
GND
V DD
V DD
Core Supply Voltage
3.15
3.3
3.45
V
-40 C to +85 C
Commercial
Industrial
0 O C to +70 O C
O O
0V
0V
3.3V + 150mV
3.3V + 150mV
V DDQ
V SS
I/O Supply Voltage
Ground
(3)
2.4
0
2.5
0
2.6
0
V
V
NOTE:
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
5629 tbl 04
V IH
Input High Voltage
(Address & Control Inputs)
1.7
____
V DDQ + 100mV
(2)
V
V IH
Input High Voltage - I/O (3)
1.7
____
V DDQ + 100mV (2)
V
V IL
Input Low Voltage
-0.3
(1)
____
0.7
V
NOTES:
5629 tbl 05a
Absolute Maximum Ratings (1)
1. Undershoot of V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns is allowed.
2. V TERM must not exceed V DDQ + 100mV.
Symbol
V TERM (2)
Rating
Terminal Voltage
Commercial
& Industrial
-0.5 to +4.6
Unit
V
3. To select operation at 2.5V levels on the I/Os and controls of a given port, the
OPT pin for that port must be set to V IL (0V), and V DDQX for that port must be supplied
as indicated above.
T BIAS
with Respect to
GND
Temperature
Under Bias
-55 to +125
o
C
Recommended DC Operating
Conditions with V DDQ at 3.3V
Symbol Parameter Min. Typ. Max.
Unit
T STG
Storage
Temperature
-65 to +150
o
C
V DD
Core Supply Voltage
3.15
3.3
3.45
V
I OUT
DC Output Current
50
mA
V DDQ
I/O Supply Voltage (3)
3.15
3.3
3.45
V
5629 tbl 06
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
V SS
V IH
Ground
Input High Voltage
(Address & Control Inputs) (3)
0
2.0
0
____
0
V DDQ + 150mV
(2)
V
V
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
V IH
V IL
Input High Voltage - I/O (3)
Input Low Voltage
2.0
-0.3 (1)
____
____
V DDQ + 150mV (2)
0.8
V
V
2. V TERM must not exceed V DD + 150mV for more than 25% of the cycle time or
4ns maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > V DD + 150mV.
NOTES:
5629 tbl 05b
1. Undershoot of V IL > -1.5V for pulse width less than 10ns is allowed.
2. V TERM must not exceed V DDQ + 150mV.
3. To select operation at 3.3V levels on the I/Os and controls of a given port, the
OPT pin for that port must be set to V IH (3.3V), and V DDQX for that port must be
supplied as indicated above.
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IDT70V7319S166BC8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7319S166BCGI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
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