- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3960 > IDT70V7339S133BFI (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70V7339S133BFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 21/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA |
| 标准包装： | 7 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 9M（512K x 18） |
| 速度： | 133MHz |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3.15 V ~ 3.45 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 208-LFBGA |
| 供应商设备封装： | 208-CABGA（15x15） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V7339S133BFI |
IDT70V7339S
High-Speed 512K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM
Ordering Information
Industrial and Commercial Temperature Ranges
XXXXX
Device
Type
A
Power
999
Speed
A
Package
A
A
Process/
Temperature
Range
Blank
I
G (3)
BF
BC
200
166
133
S
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (-40°C to +85°C)
Green
208-pin fpBGA (BF-208)
256-pin BGA (BC-256)
Commercial Only (1)
Commercial & Industrial (2) Speed in Megahertz
Commercial & Industrial
Standard Power
70V7339 9Mbit (512K x 18-Bit) Synchronous Bank-Switchable Dual-Port RAM
NOTES:
1. Available in BC-256 package only.
2. Industrial Temperature at 166MHz not available in the BF-208 package.
3. Green parts available. For specific speeds, packages and powers contact your local sales office.
Datasheet Document History:
5628 drw 22
1/5/00:
6/20/01:
8/6/01:
11/20/01:
03/18/02:
12/4/02:
01/16/04:
07/25/08:
01/29/09:
04/20/10:
Initial Public Offering
Page 1 Added JTAG information for TQFP package
Page 4 & 22 Changed TQFP package from DA to DD
Corrected Pin number on TQFP package from 100 to 110
Page 20 Increased t JCD from 20ns to 25ns
Page 4 Changed body size for DD package from 22mm x 22mm x1.6mm to 20mm x 20mm x 1.4mm
Page 9 Changed I SB 3 values for commercial and industrial DC Electrical Characteristics
Page 2, 3 & 4 Added date revision for pin configurations
Page 11 Changed t OE value in AC Electrical Characteristics, please refer to Errata #SMEN-01-05
Page 1 & 22 Replaced TM logo with ? logo
Page 1, 9, 11 & 22 Added 200MHZ specification
Page 9 Tightened power numbers in DC Electrical Characteristics
Page 14 Changed waveforms to show INVALID operation if t CO < minimum specified
Page 1 - 22 Removed "Preliminary" status
Page 9, 11 & 22 Designated 200Mhz speed grade in BC-256 package only
Page 11 Added byte enable setup time and byte enable hold time parameters and values to all speed grades in the AC Electrical
Characteristics Table
Page 9 Corrected a typo in the DC Chars table
Page 22 Removed "IDT" from orderable part number
Page 1 Added green availability to features
Page 21 Added green indicator to ordering information
Removed the DD 144-pin TQFP (DD-144) Thin Quad Flatpack per PDN: F-08-01
CORPORATE HEADQUARTERS
6024 Silver Creek Valley Road
San Jose, CA 95138
for SALES:
800-345-7015 or 408-284-8200
fax: 408-284-2775
for Tech Support:
408-284-2794
DualPortHelp@idt.com
www.idt.com
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
21
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T3599S200BC | IC SRAM 4MBIT 200MHZ 256BGA |
| IDT70T3319S200BC | IC SRAM 4MBIT 200MHZ 256BGA |
| KMPC8545EHXAQG | IC MPU PWRQUICC III 783-FCCBGA |
| 0528922695 | CONN FPC 26POS .5MM SMD R/A ZIF |
| IDT70T3599S133DR | IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208QFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V7339S133BFI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7339S133DD | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 144TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT70V7339S133DDI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 144TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT70V7339S166BC | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT70V7339S166BC8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。