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参数资料
| 型号： | IDT70V9079S6PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 13/19页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 6NS 100TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 6ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V9079S6PF8 |
IDT70V9089/79S/L
High Speed 3.3V 64/32K x 8 Synchronous Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Pipelined Read-to-Write-to-Read ( OE = V IL ) (3)
t CYC2
CLK
CE 0
t CH2
t CL2
t SC
t HC
CE 1
t SW t HW
R/ W
t SW t HW
ADDRESS
(4)
An
An +1
An + 2
An + 2
An + 3
An + 4
DATA IN
t SA
t HA
t SD t HD
Dn + 2
(2)
t CD2
t CKHZ (1)
t CKLZ
(1)
t CD2
DATA OUT
Qn
Qn + 3
READ
NOP
(5)
WRITE
READ
3750 drw 10
Timing Waveform of Pipelined Read-to-Write-to-Read ( OE Controlled) (3)
t CYC2
CLK
CE 0
t CH2
t CL2
t SC
t HC
CE 1
t SW t HW
R/ W
t SW t HW
ADDRESS (4)
An
An +1
An + 2
An + 3
An + 4
An + 5
t SA
t HA
t SD
t HD
DATA IN
(2)
t CD2
Dn + 2
Dn + 3
t CKLZ (1)
t CD2
DATA OUT
OE
Qn
(1)
t OHZ
Qn + 4
READ
WRITE
READ
3750 drw 11
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. Output state (High, Low, or High-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
3. CE 0 and ADS = V IL ; CE 1 and CNTRST = V IH .
4. Addresses do not have to be accessed sequentially since ADS = V IL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for
reference use only.
5. "NOP" is "No Operation." Data in memory at the selected address may be corrupted and should be re-written to guarantee data integrity.
13
6.42
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