- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录3989 > IDT70V9099L9PFI (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 1MBIT 9NS 100TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT70V9099L9PFI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 9NS 100TQFP |
| 标准包装： | 6 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 9ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 70V9099L9PFI |
IDT70V9199/099L
High-Speed 3.3V 128K x9/x8 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage (1)
Recommended DC Operating
Conditions
Grade
Commercial
Ambient
Temperature (2)
0 O C to +70 O C
GND
0V
V DD
3.3V + 0.3V
Symbol
V DD
V SS
Parameter
Supply Voltage
Ground
Min.
3.0
0
Typ.
3.3
0
Max.
3.6
0
Unit
V
V
Industrial
-40 O C to +85 O C
0V
3.3V + 0.3V
V IH
Input High Voltage
2.0
____
V DD +0.3V
(2)
V
-0.3
NOTES:
4859 tbl 04
V IL
Input Low Voltage
(1)
____
0.8
V
1. This is the parameter T A . This is the "instant on" case temperature.
NOTES:
1. V IL > -1.5V for pulse width less than 10 ns.
2. V TERM must not exceed V DD +0.3V.
4859 tbl 05
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol Rating Commercial
& Industrial
V TERM (2) Terminal Voltage -0.5 to +4.6
with Respect to
GND
Unit
V
Capacitance (1)
(T A = +25°C, f = 1.0MH Z )
Symbol Parameter
C IN Input Capacitance
Conditions (2)
V IN = 3dV
Max.
9
Unit
pF
T BIAS (3)
Temperature
Under Bias
-55 to +125
o
C
C OUT (3)
Output Capacitance
V OUT = 3dV
10
pF
T STG
T JN
Storage
Temperature
Junction Temperature
-65 to +150
+150
o
o
C
C
4859 tbl 07
NOTES:
1. These parameters are determined by device characterization, but are not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output switch
I OUT
NOTES:
DC Output Current
50
mA
4859 tbl 06
from 0V to 3V or from 3V to 0V.
3. C OUT also references C I/O .
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximum rating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V TERM must not exceed V DD +0.3V for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum, and is limited to < 20mA for the period of V TERM > V DD + 0.3V.
3. Ambient Temperature Under DC Bias. No AC Conditions. Chip deselect.
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 0.3V)
70V9199/099L
Input Leakage Current
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
(1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V DD = 3.6V, V IN = 0V to V DD
CE = V IH or CE 1 = V IL , V OUT = 0V to V DD
I OL = +4mA
I OH = -4mA
Min.
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
4859 tbl 08
NOTE:
1. At V DD < 2.0V input leakages are undefined.
5
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KMPC8541EVTALF | IC MPU POWERQUICC III 783-FCPBGA |
| KMPC8541EPXAQF | IC MPU POWERQUICC III 783-FCPBGA |
| KMPC8541EPXAPF | IC MPU POWERQUICC III 783-FCPBGA |
| KMPC8541EPXALF | IC MPU POWERQUICC III 783-FCPBGA |
| IDT709289L7PF | IC SRAM 1MBIT 7NS 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT70V9099L9PFI8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V914S20PF | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V914S20PF8 | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V914S25PF | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT70V914S25PF8 | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。