参数资料
型号: IDT70V9269S6PRF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 7/19页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 256KBIT 6NS 128TQFP
标准包装: 6
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 256K(16K x 16)
速度: 6ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 128-LQFP
供应商设备封装: 128-TQFP(14x20)
包装: 托盘
其它名称: 70V9269S6PRF
IDT70V9279/69S/L
High-Speed 32/16K x 16 Dual-Port Synchronous Static RAM
AC Test Conditions
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
3ns
1.5V
1.5V
Figures 1, 2, and 3
7343 tbl 10
DATA OUT
3.3V
590 ?
DATA OUT
3.3V
590 ?
435 ?
30pF
435 ?
5pF*
,
3743 drw 03
Figure 1. AC Output Test load.
3743 drw 04
Figure 2. Output Test Load
(For t CKLZ , t CKHZ , t OLZ , and t OHZ ).
*Including scope and jig.
8
7
- 10pF is the I/O capacitance
of this device, and 30pF is the
AC Test Load Capacitance
6
tCD 1 ,
tCD 2
(Typical, ns)
5
4
3
2
1
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
-1
Capacitance (pF)
,
3743 drw 05
Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
7
6.42
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