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参数资料
| 型号： | IDT70V9349L7PFI8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 15/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 72KBIT 7NS 100TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，同步 |
| 存储容量： | 72K（4K x 18） |
| 速度： | 7ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 3 V ~ 3.6 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 70V9349L7PFI8 |
IDT70V9359/49L
High-Speed 3.3V 8/4K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Functional Description
The IDT70V9359/49 provides a true synchronous Dual-Port Static
RAM interface. Registered inputs provide minimal set-up and hold times
on address, data, and all critical control inputs. All internal registers are
clocked on the rising edge of the clock signal, however, the self-timed
internal write pulse is independent of the LOW to HIGH transition of the clock
signal.
An asynchronous output enable is provided to ease asynchronous
bus interfacing. Counter enable inputs are also provided to stall the
operation of the address counters for fast interleaved memory applications.
CE 0 = V IL and CE 1 = V IH for one clock cycle will power down the
internal circuitry to reduce static power consumption. Multiple chip enables
allow easier banking of multiple IDT70V9359/49's for depth expansion
configurations. When the Pipelined output mode is enabled, two cycles are
required with CE 0 = V IL and CE 1 = V IH to re-activate the outputs.
A 13 /A 12(1)
Depth and Width Expansion
The IDT70V9359/49 features dual chip enables (refer to Truth Table
I) in order to facilitate rapid and simple depth expansion with no require-
ments for external logic. Figure 4 illustrates how to control the varioius chip
enables in order to expand two devices in depth.
The IDT70V9359/49 can also be used in applications requiring
expanded width, as indicated in Figure 4. Since the banks are allocated
at the discretion of the user, the external controller can be set up to drive
the input signals for the various devices as required to allow for 36-bit or
wider applications.
IDT70V9359/49
CE 0
IDT70V9359/49
CE 0
Control Inputs
CE 1
V DD
Control Inputs
CE 1
V DD
IDT70V9359/49
Control Inputs
CE 1
CE 0
IDT70V9359/49
Control Inputs
CE 1
CE 0
CNTRST
CLK
ADS
CNTEN
NOTE:
1. A 13 is for IDT70V9359, A 12 is for IDT70V9349.
Figure 4. Depth and Width Expansion with IDT70V9359/49
15
6.42
5638 drw 19
R/ W
LB , UB
OE
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V9349L6PF8 | IC SRAM 72KBIT 6NS 100TQFP |
| IDT70V9159L7PFI8 | IC SRAM 72KBIT 7NS 100TQFP |
| IDT70V9159L6PF8 | IC SRAM 72KBIT 6NS 100TQFP |
| IDT709349L7PFI8 | IC SRAM 72KBIT 7NS 100TQFP |
| IDT709349L6PF8 | IC SRAM 72KBIT 6NS 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT70V9359L6BF | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 6NS 100FBGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
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