参数资料
型号: IDT70V9359L6BF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 7/17页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 144KBIT 6NS 100FBGA
标准包装: 60
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,同步
存储容量: 144K(8K x 18)
速度: 6ns
接口: 并联
电源电压: 3 V ~ 3.6 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 100-LFBGA
供应商设备封装: 100-CABGA(10x10)
包装: 托盘
其它名称: 70V9359L6BF
IDT70V9359/49L
High-Speed 3.3V 8/4K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
AC Test Conditions
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
2ns Max.
1.5V
1.5V
Figures 1, 2, and 3
5638 tbl 10
DATA OUT
3.3V
590 ?
DATA OUT
3.3V
590 ?
435 ?
30pF
435 ?
5pF*
5638 drw 04
Figure 1. AC Output Test load.
8
7
5638 drw 05
Figure 2. Output Test Load
(For t CKLZ , t CKHZ , t OLZ , and t OHZ ).
*Including scope and jig.
- 10pF is the I/O capacitance
of this device, and 30pF is the
AC Test Load Capacitance
6
5
tCD 1 ,
tCD 2
(Typical, ns)
4
3
2
1
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
-1
Capacitance (pF)
5638 drw 06
Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
7
6.42
.
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