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参数资料
| 型号： | IDT71016S12YI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 12NS 44SOJ |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 28/Jul/2008 |
| 标准包装： | 16 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 1M (64K x 16) |
| 速度： | 12ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 44-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 44-SOJ |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 71016S12YI |
IDT71016, CMOS Static RAM
1 Meg (64K x 16-bit)
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
AC Test Load
GND to 3.0V
1.5ns
1.5V
1.5V
See Figure 1, 2 and 3
3210 tbl 09
Commercial and Industrial Temperature Ranges
AC Test Loads
5V
5V
DATA OUT
480 ?
DATA OUT
480 ?
30pF*
255 ?
5pF*
255 ?
3210 drw 03
,
3210 drw 04
,
*Including jig and scope capacitance.
Figure 1. AC Test Load
7
Figure 2. AC Test Load
(for t CLZ , t OLZ , t CHZ , t OHZ , t OW, and t WHZ )
?
? t AA, t ACS
6
(Typical, ns) 5
4
3
2
?
?
?
1
?
?
?
,
8 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
CAPACITANCE (pF)
Figure 3. Output Capacitive Derating
6.42
3210 drw 05
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PDF描述 |
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| IDT71016S12YGI8 | IC SRAM 1MBIT 12NS 44SOJ |
| T95R476K020HZSL | CAP TANT 47UF 20V 10% 2824 |
| IDT71016S12YGI | IC SRAM 1MBIT 12NS 44SOJ |
| T95R337M004HZSL | CAP TANT 330UF 4V 20% 2824 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT71016S15PH8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 44TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT71016S15PHG | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 44TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
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