参数资料
型号: IDT71016S20YG
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
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文件大小: 0K
描述: IC SRAM 1MBIT 20NS 44SOJ
标准包装: 16
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 异步
存储容量: 1M (64K x 16)
速度: 20ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 44-BSOJ
供应商设备封装: 44-SOJ
包装: 管件
产品目录页面: 1256 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 71016S20YG
800-1409
800-1409-5
800-1409-ND
CMOS Static RAM
1 Meg (64K x 16-Bit)
IDT71016S
64K x 16 advanced high-speed CMOS Static RAM
Equal access and cycle times
One Chip Select plus one Output Enable pin
Bidirectional data inputs and outputs directly TTL-
Low power consumption via chip deselect
Upper and Lower Byte Enable Pins
Commercial and industrial product available in 44-pin
Features
– Commercial : 12/15/20ns
– Industrial: 15/20ns
compatible
Plastic SOJ package and 44-pin TSOP package
Functional Block Diagram
Description
The IDT71016 is a 1,048,576-bit high-speed Static RAM organized
as 64K x 16. It is fabricated using high-perfomance, high-reliability CMOS
technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative
circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high-speed
memory needs.
The IDT71016 has an output enable pin which operates as fast as 7ns,
with address access times as fast as 12ns. All bidirectional inputs and
outputs of the IDT71016 are TTL-compatible and operation is from a single
5V supply. Fully static asynchronous circuitry is used, requiring no clocks
or refresh for operation.
The IDT71016 is packaged in a JEDEC standard 44-pin Plastic SOJ
and 44-pin TSOP Type II.
OE
Output
Enable
Buffer
A0 - A15
Address
Buffers
Row / Column
Decoders
I/O 15
,
CS
Chip
Enable
8
High
Byte
I/O
8
Buffer
Buffer
I/O 8
64K x 16
Memory
16
Sense
Amps
and
WE
Write
Enable
Buffer
Array
Write
Drivers
8
Low
Byte
8
I/O 7
I/O
Buffer
I/O 0
BHE
Byte
Enable
Buffers
BLE
?2013 Integrated Device Technology, Inc.
1
3210 drw 01
SEPTEMBER 2013
DSC-3210/11
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PDF描述
IDT71016S15PHG IC SRAM 1MBIT 15NS 44TSOP
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