参数资料
型号: IDT71024S12TYG
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 3/8页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ
标准包装: 23
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 异步
存储容量: 1M (128K x 8)
速度: 12ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 32-BSOJ
供应商设备封装: 32-SOJ
包装: 管件
其它名称: 71024S12TYG
IDT71024S12TYG-ND
IDT71024 CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics
(V CC = 5.0V ± 10%, Commercial and Industrial Temperature Ranges)
IDT71024
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Condition
V CC = Max., V IN = GND to V CC
V CC = Max., CS 1 = V IH , V OUT = GND to V CC
I OL = 8mA, V CC = Min.
I OH = –4mA, V CC = Min.
Min.
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
2964 tbl 06
DC Electrical Characteristics (1)
(V CC = 5.0V ± 10%, V LC = 0.2V, V HC = V CC – 0.2V)
71024S12
71024S15
71024S20
Symbol
I CC
I SB
I SB1
Parameters
Dynamic Operating Current,
CS 2 ≥ V IH and CS 1 ≤ V IL , Outputs Open,
V CC = Max., f = f MAX (2)
Standby Power Supply Current (TTL Level)
CS 1 ≥ V IH or CS 2 ≤ V IL , Outputs Open,
V CC = Max., f=f MAX (2)
Full Standby Power Supply Current
(CMOS Level), CS 1 ≥ V HC or
CS 2 ≤ V LC , Outputs Open,
V CC = Max., f = 0 (2) , V IN ≤ V LC or V IN ≥ V HC
Com'l.
160
40
10
Ind.
160
40
10
Com'l.
155
40
10
Ind.
155
40
10
Com'l.
140
40
10
Ind.
140
40
10
Unit
mA
mA
mA
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. f MAX = 1/t RC (all address inputs are cycling at f MAX ) ; f = 0 means no address
input lines are changing.
AC Test Conditions
2964 tbl 07
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
GND to 3.0V
3ns
1.5V
1.5V
AC Test Load
5V
See Figures 1 and 2
2964 tbl 08
DATA OUT
5V
480 ?
DATA OUT
480 ?
5pF*
255 ?
30pF
255 ?
2964 drw 03
Figure 1. AC Test Load
3
6.42
*Including jig and scope capacitance.
Figure 2. AC Test Load
(for t CLZ , t OLZ , t CHZ , t OHZ , t OW, and t WHZ )
2964 drw 04
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