参数资料
型号: IDT71024S12TYGI8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 7/8页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ
标准包装: 1
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 异步
存储容量: 1M (128K x 8)
速度: 12ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 32-BSOJ
供应商设备封装: 32-SOJ
包装: 标准包装
产品目录页面: 1256 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 800-1410-6
IDT71024 CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit)
Ordering Information
Commercial and Industrial Temperature Ranges
71024
Device
S
Power
XX
Speed
X
Package
X
X
Process/
X
Type
Temperature
Range
Blank
8
Blank
I
G
TY
Y
12
15
Tube or Tray
Tape and Reel
Commercial (0°C to +70°C)
Industrial (–40°C to +85°C)
Green
300-mil SOJ (SO32-2)
400-mil SOJ (SO32-3)
Speed in nanoseconds
20
2964 drw 09
7
6.42
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PDF描述
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参数描述
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IDT71024S12TYI8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT71024S12Y 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT71024S12Y8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
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