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参数资料
| 型号： | IDT71024S15TY |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 29/Apr/2010 |
| 标准包装： | 23 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 32-SOJ |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 71024S15TY |
IDT71024 CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit)
Pin Configuration
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol
Rating
Value
Unit
V TERM
(2)
Terminal Voltage with Respect to GND
–0.5 to +7.0
V
T BIAS
T STG
Temperature Under Bias
Storage Temperature
–55 to +125
–55 to +125
o
o
C
C
P T
I OUT
NOTES:
Power Dissipation
DC Output Current
1.25
50
W
mA
2964 tbl 02
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS may cause
permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation
of the device at these or any other conditions above those indicated in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect reliability.
2. V TERM must not exceed V CC + 0.5V.
SOJ
Top View
Truth Table (1,3)
Capacitance
(T A = +25°C, f = 1.0MHz, SOJ package)
Inputs
Symbol
Parameter (1)
Conditions
Max.
Unit
WE
X
CS 1
H
CS 2
X
OE
X
I/O
High-Z
Function
Deselected – Standby (I SB )
C IN
C I/O
Input Capacitance
I/O Capacitance
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
7
8
pF
pF
X
V HC (2)
X
X
High-Z
Deselected – Standby (I SB1 )
NOTE:
2964 tbl 03
X
X
H
H
X
X
L
L
L
V LC (2)
H
H
X
X
H
L
High-Z
High-Z
High-Z
DATA OUT
Deselected – Standby (I SB )
Deselected – Standby (I SB1 )
Outputs Disabled
Read Data
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
Recommended DC Operating
Conditions
L
L
H
X
DATA IN
Write Data
Symbol
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
–0.5
NOTES:
1. H = V IH , L = V IL , X = Don't care.
2. V LC = 0.2V, V HC = V CC –0.2V.
3. Other inputs ≥ V HC or ≤ V LC.
2964 tbl 01
V CC
GND
V IH
V IL
Supply Voltage
Ground
Input High Voltage
Input Low Voltage
4.5
0
2.2
(1)
5.0
0
____
____
5.5
0
V CC +0.5
0.8
V
V
V
V
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
NOTE:
1. V IL (min.) = –1.5V for pulse width less than 10ns, once per cycle.
2964 tbl 04
Grade
Commercial
Industrial
Temperature
0°C to +70°C
–40°C to +85°C
GND
0V
0V
V CC
5.0V ± 0.5V
5.0V ± 0.5V
2964 tbl 05
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EMA43DTKT-S288 | CONN EDGECARD 86POS .125 EXTEND |
| IDT71024S12YI8 | IC SRAM 1MBIT 12NS 32SOJ |
| SDR2207-100ML | INDUCTOR POWER 10UH 6.5A SMD |
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| ACM24DTKT-S288 | CONN EDGECARD EXTEND 48POS 0.156 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT71024S15TYGI | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71024S15TYGI8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
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