参数资料
型号: IDT71024S15YGI8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 1/8页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ
标准包装: 1
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 异步
存储容量: 1M (128K x 8)
速度: 15ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 32-BSOJ
供应商设备封装: 32-SOJ
包装: 标准包装
产品目录页面: 1256 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 800-1415-6
CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit)
IDT71024S
128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM
Commercial (0°C to +70°C), Industrial (–40°C to +85°C)
Equal access and cycle times
Two Chip Selects plus one Output Enable pin
Bidirectional inputs and outputs directly
Low power consumption via chip deselect
Available in 300 and 400 mil Plastic SOJ.
Features
— Commercial and Industrial: 12/15/20ns
TTL-compatible
Description
The IDT71024 is a 1,048,576-bit high-speed static RAM organized as
128K x 8. It is fabricated using high-performance, high-reliability CMOS
technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative
circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high-speed
memory needs.
The IDT71024 has an output enable pin which operates as fast
as 6ns, with address access times as fast as 12ns available. All
bidirectional inputs and outputs of the IDT71024 are TTL-compat-
ible, and operation is from a single 5V supply. Fully static asynchro-
nous circuitry is used; no clocks or refreshes are required for
operation.
The IDT71024 is packaged in 32-pin 300 mil Plastic SOJ and 32-
pin 400 mil Plastic SOJ.
Functional Block Diagram
FEBRUARY 2013
1
?2012 Integrated Device Technology, Inc.
DSC-2964/19
相关PDF资料
PDF描述
A40MX04-2PL84 IC FPGA MX SGL CHIP 6K 84-PLCC
APA150-FGG144 IC FPGA PROASIC+ 150K 144-FBGA
APA150-FG144 IC FPGA PROASIC+ 150K 144-FBGA
AMM25DRSD-S288 CONN EDGECARD 50POS .156 EXTEND
RSA50DRMI CONN EDGECARD 100POS .125 SQ WW
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT71024S15YI 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT71024S15YI8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT71024S20LM 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:
IDT71024S20TY 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ
IDT71024S20TY8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步,DDR II 存储容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA(13x15) 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ