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参数资料
| 型号： | IDT71024S20TYGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ |
| 标准包装： | 23 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 32-SOJ |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 71024S20TYGI |
IDT71024 CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit)
Datasheet Document History
Commercial and Industrial Temperature Ranges
9/30/99
Pg. 1, 3, 4, 7
Pg. 1–4, 7
Pg. 3
Pg. 6
Pg. 8
Updated to new format
Added 12ns industrial speed grade offering
Removed military temperature offerings
Removed 17ns and 25ns speed grades
Revised I CC and I SB1 for 15ns and 20ns industrial speed grades
Removed Note 1, reordered notes and footnotes
Added Datasheet Document History
1/6/2000
2/18/00
3/14/00
08/09/00
02/01/01
01/30/04
05/22/06
02/13/07
08/13/09
02/05/13
Pg. 4
Pg. 3
Pg. 3
Pg. 7
Pg.3
Pg.7
Pg.2
Pg.1
Pg.7
Changed t WP (min) for 12ns speed grade from 10ns to 8ns.
Revised Icc and I SB for Industrial Temperature offerings to meet commercial specifications
Revised I SB to accommodate speed functionality
Not recommended for new designs
Removed "Not recommended for new designs"
Added "Restricted hazardous substance device" to the ordering information.
Added drawing Output Capacitive Derating drawing.
Added M generation die step to data sheet ordering information.
Corrected note reference.
Removed /MS from datasheet header. Removed IDT's reference to fabrication.
Updated ordering information by adding Tape and Reel, updated Restricted Hazardous Substance
Device wording to Green and removed the Die Stepping Revision, the"M" designator.
CORPORATE HEADQUARTERS
6024 Silver Creek Valley Road
San Jose, CA 95138
for SALES:
800-345-7015 or
408-284-8200
for Tech Support:
ipchelp@idt.com
800-345-7015
fax: 408-284-2775
www.idt.com
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
8
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71024S15TYGI | IC SRAM 1MBIT 15NS 32SOJ |
| AMM28DTBI | CONN EDGECARD 56POS R/A .156 SLD |
| HMC44DRAN-S734 | CONN EDGECARD 88POS .100 R/A PCB |
| HMC44DRAH-S734 | CONN EDGECARD 88POS .100 R/A PCB |
| ABC60DRYN-S734 | CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71024S20TYGI8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:256K (32K x 8) 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） 供应商设备封装:28-TSOP 包装:带卷 (TR) 其它名称:71V256SA15PZGI8 |
| IDT71024S20TYI | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT71024S20TYI8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT71024S20Y | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT71024S20Y8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
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