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参数资料
| 型号： | IDT71124S20YG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 32-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 32-SOJ |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71124S20YG8 |
IDT71124 CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-bit) Revolutionary Pinout
Commercial and Industrial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics
(V CC = 5.0V ± 10%, Commercial and Industrial Temperature Ranges)
71124S12 (2)
71124S15
71124S20
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t CLZ
t OLZ
t PD
t RC
t AA
t ACS
(1)
t CHZ (1)
t OE
(1)
t OHZ (1)
t OH
t PU (1)
(1)
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Select Access Time
Chip Select to Output in Low-Z
Chip Deselect to Output in High-Z
Output Enable to Output Valid
Output Enable to Output in Low-Z
Output Disable to Output in High-Z
Output Hold from Address Change
Chip Select to Power-Up Time
Chip Deselect to Power-Down Time
12
____
____
3
0
____
0
0
4
0
____
____
12
12
____
6
6
____
5
____
____
12
15
____
____
3
0
____
0
0
4
0
____
____
15
15
____
7
7
____
5
____
____
15
20
____
____
3
0
____
0
0
4
0
____
____
20
20
____
8
8
____
7
____
____
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
WRITE CYCLE
t WC
t AW
t CW
t AS
t WP
t WR
t DW
t DH
t OW (1)
t WHZ (1)
Write Cycle Time
Address Valid to End of Write
Chip Select to End of Write
Address Set-up Time
Write Pulse Width
Write Recovery Time
Data Valid to End-of-Write
Data Hold Time
Output active from End-of-Write
Write Enable to Output in High-Z
12
8
8
0
8
0
6
0
3
0
____
____
____
____
____
____
____
____
____
5
15
12
12
0
12
0
8
0
3
0
____
____
____
____
____
____
____
____
____
5
20
15
15
0
15
0
9
0
4
0
____
____
____
____
____
____
____
____
____
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTE:
1. This parameter guaranteed with the AC load (Figure 2) by device characterization, but is not production tested.
2. There is no industrial temperature offering for the 12ns speed grade.
6.42
3514 tbl 09
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