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参数资料
| 型号： | IDT71124S20YGI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ |
| 标准包装： | 23 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 1M (128K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 32-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 32-SOJ |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 71124S20YGI |
CMOS Static RAM
1 Meg (128K x 8-Bit)
Revolutionary Pinout
IDT71124
128K x 8 advanced high-speed CMOS static RAM
JEDEC revolutionary pinout (center power/GND) for
Features
◆
◆
reduced noise.
Description
The IDT71124 is a 1,048,576-bit high-speed static RAM organized as
128K x 8. It is fabricated using high-performance, high-reliability CMOS
◆
◆
◆
◆
◆
Equal access and cycle times
– Commercial: 12/15/20ns
– Industrial: 15/20ns
One Chip Select plus one Output Enable pin
Bidirectional inputs and outputs directly TTL-compatible
Low power consumption via chip deselect
Available in a 32-pin 400 mil Plastic SOJ.
technology. This state-of-the-art technology, combined with innovative
circuit design techniques, provides a cost-effective solution for high-speed
memory needs. The JEDEC centerpower/GND pinout reduces noise
generation and improves system performance.
The IDT71124 has an output enable pin which operates as fast as 6ns,
with address access times as fast as 12ns available. All bidirectional inputs
and outputs of the IDT71124 are TTL-compatible and operation is from
a single 5V supply. Fully static asynchronous circuitry is used; no clocks
or refreshes are required for operation.
The IDT71124 is packaged in a 32-pin 400 mil Plastic SOJ.
Functional Block Diagram
A 0
?
?
?
?
ADDRESS
DECODER
?
?
1,048,576-BIT
MEMORY ARRAY
A 16
I/O 0 - I/O 7
?
8
I/O CONTROL
8
WE
OE
CS
?2013 Integrated Device Technology, Inc.
8
CONTROL
LOGIC
1
3514 drw 01
,
APRIL 2013
DSC-3514/11
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT71124S20YI | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT71124S20YI8 | 功能描述:IC SRAM 1MBIT 20NS 32SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
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