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参数资料
| 型号： | IDT71256SA15YI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 29/Apr/2010 |
| 标准包装： | 27 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 15ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 28-SOJ |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 71256SA15YI |
IDT71256SA
CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics
(V CC = 5.0V ± 10%)
IDT71256SA
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL
V OH
Parameter
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
Test Conditions
V CC = Max., V IN = GND to V CC
V CC = Max., CS = V IH , V OUT = GND to V CC
I OL = 8mA, V CC = Min.
I OH = -4mA, V CC = Min.
Min.
___
___
___
2.4
Max.
5
5
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
2948 tbl 05
DC Electrical Characteristics (1)
(V CC = 5.0V ± 10%, V LC = 0.2V, V HC = V CC –0.2V)
Symbol
I CC
I SB
I SB1
Parameter
Dynamic Operating Current
CS < V IL , Outputs Open, V CC = Max., f = f MAX (2)
Standby Power Supply Current (TTL Level)
CS > V IH , Outputs Open, V CC = Max., f = f MAX (2)
Standby Power Supply Current (CMOS Level)
CS > V HC , Outputs Open, V CC = Max., f = 0 (2) ,
V IN < V LC or V IN > V HC
71256SA12
160
50
15
71256SA15
150
40
15
71256SA20
145
40
15
71256SA25
145
40
15
Unit
mA
mA
mA
NOTES:
1. All values are maximum guaranteed values.
2. f MAX = 1/t RC (all address inputs are cycling at f MAX ); f = 0 means no address input lines are changing.
2948 tbl 06
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
GND to 3.0V
3ns
Capacitance
(T A = +25°C, f = 1.0MHz, SOJ package)
Symbol Parameter (1) Conditions Max.
Unit
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
1.5V
1.5V
C IN
C I/O
Input Capacitance
I/O Capacitance
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
7
7
pF
pF
AC Test Load
See Figures 1 and 2
NOTE:
2948 tbl 08
DATA OUT
5V
480 Ω
2948 tbl 07
1. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production
tested.
5V
480 Ω
DATA OUT
30pF*
255 Ω
2948 drw 03
,
5pF*
255 Ω
2948 drw 04
.
Figure 1. AC Test Load
*Including jig and scope capacitance.
3
6.42
Figure 2. AC Test Load
(for t CLZ , t OLZ , t CHZ , t OHZ , t OW, and t WHZ )
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| RBB05DHNN | CONN EDGECARD 10POS DIP .050 SLD |
| V28A24C200BF2 | CONVERTER MOD DC/DC 24V 200W |
| KA78RH33RTF | IC REG LDO 3.3V .8A DPAK |
| TAJC106M020RNJ | CAP TANT 10UF 20V 20% 2312 |
| V28A15C200BF2 | CONVERTER MOD DC/DC 15V 200W |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71256SA15YI8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 15NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT71256SA20PZ | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT71256SA20PZ8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT71256SA20PZG | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71256SA20PZG8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
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