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参数资料
| 型号： | IDT71256SA20PZ8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 22/Jun/2009 |
| 标准包装： | 2,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-TSOP |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71256SA20PZ8 |
IDT71256SA
CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
Pin Configurations
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Absolute Maximum Ratings (1)
Symbol
Rating
Value
Unit
A 14
A 12
A 7
A 6
A 5
1
2
3
4
5
28
27
26
25
24
V CC
WE
A 13
A 8
A 9
V CC
V TERM
Supply Voltage
Relative to GND
Terminal Voltage
Relative to GND
-0.5 to +7.0
-0.5 to V CC +0.5
V
V
A 4
A 3
A 2
6
7
8
SO28-5
P28-2
23
22
21
A 11
OE
A 10
T BIAS
T STG
Temperature Under Bias
Storage Temperature
-55 to +125
-55 to +125
o
o
C
C
A 1
A 0
I/O 0
9
10
11
20
19
18
CS
I/O 7
I/O 6
P T
I OUT
Power Dissipation
DC Output Current
1.0
50
W
mA
I/O 1
I/O 2
GND
12
13
14
17
16
15
I/O 5
I/O 4
I/O 3
2948 tbl 02
NOTE:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
may cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
DIP/SOJ
2948 drw 02
Top View
functional operation of the device at these or any other conditions above those
indicated in the operational sections of this specification is not implied. Exposure
to absolute maximum rating conditions for extended periods may affect
reliability.
OE
22
21
A 10
A 11
A 9
A 8
A 13
23
24
25
26
20
19
18
17
CS
I/O 7
I/O 6
I/O 5
Truth Table (1,2)
CS OE WE
I/O
Function
WE
V CC
A 14
A 12
A 7
A 6
A 5
A 4
A 3
27
28
1
2
3
4
5
6
7
SO28-8
16
15
14
13
12
11
10
9
8
I/O 4
I/O 3
GND
I/O 2
I/O 1
I/O 0
A 0
A 1
A 2
,
L
L
L
H
V HC (3)
L
X
H
X
X
H
L
H
X
X
DATA OUT
DATA IN
High-Z
High-Z
High-Z
Read Data
Write Data
Outputs Disabled
Deselecte d - Standby (I SB )
Deselecte d - Standby (I SB1 )
2948 drw 02a
TSOP
Top View
Recommended Operating
Temperature and Supply Voltage
Grade Temperature GND Vcc
NOTES:
1. H = V IH , L = V IL , x = Don't care.
2. V LC = 0.2V, V HC = V CC –0.2V.
3. Other inputs ≥ V HC or ≤ V LC .
Recommended DC Operating
Conditions
Symbol Parameter Min. Typ. Max.
2948 tbl 03
Unit
Commercial
Industrial
0 O C to +70 O C
-40 O C to +85 O C
0V
0V
4.5V ± 5.5V
4.5V ± 5.5V
V CC
GND
Supply Voltage
Ground
4.5
0
5.0
0
5.5
0
V
V
2948 tbl 01
V IH
V IL
Input High Voltage
Input Low Voltage
2.2
-0.5 (1)
____
____
V CC +0.5
0.8
V
V
2
NOTE:
1. V IL (min.) = –1.5V for pulse width less than 10ns, once per cycle.
2948 tbl 04
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PDF描述 |
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| IDT71256SA20PZ | IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71256SA20PZG | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71256SA20PZG8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71256SA20PZGI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71256SA20PZGI8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71256SA20PZI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
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