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参数资料
| 型号： | IDT71256SA20PZI |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 22/Jun/2009 |
| 标准包装： | 234 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 256K (32K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 28-TSSOP（0.465"，11.8mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 28-TSOP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 71256SA20PZI |
IDT71256SA
CMOS Static RAM 256K (32K x 8-Bit)
Commercial and Industrial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write Cycle No. 1 ( WE Controlled Timing) (1,2,4)
t WC
ADDRESS
t AW
CS
WE
t AS
t WP (2)
t WR
t WHZ (5)
t OW (5)
t CHZ (5)
DATA OUT
(3)
HIGH IMPEDANCE
t DW
t DH
(3)
DATA IN
DATA IN VALID
2948 drw 07
,
Timing Waveform of Write Cycle No. 2 ( CS Controlled Timing) (1,4)
t WC
ADDRESS
t AW
CS
WE
t AS
t CW
t DW
t WR
t DH
DATA IN
DATA IN VALID
2948 drw 08
,
NOTES:
1. A write occurs during the overlap of a LOW CS and a LOW WE .
2. OE is continuously HIGH. If during a WE controlled write cycle OE is LOW, t WP must be greater than or equal to t WHZ + t DW to allow the I/O drivers to turn off and data
to be placed on the bus for the required t DW . If OE is HIGH during a WE controlled write cycle, this requirement does not apply and the minimum write pulse is as
short as the specified t WP .
3. During this period, I/O pins are in the output state, and input signals must not be applied.
4. If the CS LOW transition occurs simultaneously with or after the WE LOW transition, the outputs remain in a high-impedance state.
5. Transition is measured ±200mV from steady state.
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PDF描述 |
|---|---|
| IDT71256SA20PZ8 | IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP |
| VI-JW0-CX-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 5V 75W |
| GSC07DREI-S13 | CONN EDGECARD 14POS .100 EXTEND |
| TAJB226M010RNJ | CAP TANT 22UF 10V 20% 1210 |
| RMM30DTBH-S189 | CONN EDGECARD 60POS R/A .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71256SA20PZI8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28TSOP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
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| IDT71256SA20TPG | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28DIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
| IDT71256SA20TPGI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28DIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT71256SA20TPI | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 20NS 28DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
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