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参数资料
| 型号： | IDT7130LA55J8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 8KBIT 55NS 52PLCC |
| 标准包装： | 400 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 52-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 52-PLCC（19x19） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 7130LA55J8 |
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Data Retention Characteristics (LA Version Only)
7130LA/7140LA
Symbol
V DR
I CCDR
Parameter
V CC for Data Retention
Data Retention Current
Test Condition
V CC = 2.0V, CE > V CC -0.2V
MIL. & IND.
COM'L.
Min.
2.0
___
___
Typ. (1)
___
100
100
Max.
___
4000
1500
Unit
V
μA
t CDR
t R (3)
(3)
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
V IN > V CC -0.2V or V IN < 0.2V
0
t RC (2)
___
___
___
___
ns
ns
NOTES:
1. V CC = 2V, T A = +25°C, and is not production tested.
2. t RC = Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed but not production tested.
Data Retention Waveform
DATA RETENTION MODE
2689 tbl 07
V CC
4.5V
V DR ≥ 2.0V
4.5V
CE
t CDR
V IH
V DR
8
t R
V IH
2692 drw 06 ,
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7130LA100J8 | IC SRAM 8KBIT 100NS 52PLCC |
| 65801-110LF | CLINCHER RECEPTACLE ASSY TIN |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IDT7130LA55PF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7130LA55PF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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