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参数资料
| 型号： | IDT7130LA55P |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 8KBIT 55NS 48DIP |
| 标准包装： | 7 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-DIP（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 48-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 7130LA55P |
HIGH SPEED
1K X 8 DUAL-PORT
STATIC SRAM
IDT7130SA/LA
IDT7140SA/LA
High-speed access
Low-power operation
Features
◆
– Commercial: 20/25/35/55/100ns (max.)
– Industrial: 25/55/100ns (max.)
– Military: 25/35/55/100ns (max.)
◆
– IDT7130/IDT7140SA
— Active: 550mW (typ.)
— Standby: 5mW (typ.)
– IDT7130/IDT7140LA
— Active: 550mW (typ.)
— Standby: 1mW (typ.)
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
On-chip port arbitration logic (IDT7130 Only)
BUSY output flag on IDT7130; BUSY input on IDT7140
INT flag for port-to-port communication
Fully asynchronous operation from either port
Battery backup operation–2V data retention (LA only)
TTL-compatible, single 5V ±10% power supply
Military product compliant to MIL-PRF-38535 QML
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Available in 48-pin DIP, LCC and Ceramic Flatpack, 52-pin
PLCC, and 64-pin STQFP and TQFP
◆
MASTER IDT7130 easily expands data bus width to 16-or-
◆
Green parts available, see ordering information
more-bits using SLAVE IDT7140
Functional Block Diagram
OE L
CE L
R/ W L
OE R
CE R
R/ W R
I/O 0L - I/O 7L
I/O
Control
I/O
Control
I/O 0R -I/O 7R
,
BUSY R
BUSY L
(1,2)
(1,2)
A 9L
A 0L
Address
Decoder
MEMORY
ARRAY
Address
Decoder
A 9R
A 0R
10
10
CE L
OE L
R/ W L
ARBITRATION
and
INTERRUPT
LOGIC
CE R
OE R
R/ W R
INT R
NOTES:
INT L
(2)
2689 drw 01
(2)
1. IDT7130 (MASTER): BUSY is open drain output and requires pullup resistor.
IDT7140 (SLAVE): BUSY is input.
2. Open drain output: requires pullup resistor.
?2013 Integrated Device Technology, Inc.
1
JANUARY 2013
DSC-2689/15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7130LA55PDGI | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 48DIP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7130LA55PF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7130LA55PF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7130LA55TF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64STQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7130LA55TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 64STQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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