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参数资料
| 型号： | IDT7130SA20TF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 17/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 8KBIT 20NS 64STQFP |
| 标准包装： | 40 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（10x10） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7130SA20TF |
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (1)
7130X55
7140X55
Com'l, Ind
& Military
7130X100
7140X100
Com'l, Ind
& Military
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
INTERRUPT TIMING
t AS
t WR
t INS
t INR
Address Set-up Time
Write Recovery Time
Interrupt Set Time
Interrupt Reset Time
0
0
____
____
____
____
45
45
0
0
____
____
____
____
60
60
ns
ns
ns
ns
NOTES:
1. 'X' in part numbers indicates power rating (SA or LA).
Timing Waveform of Interrupt Mode (1)
INT Set:
t WC
2689 tbl 12b
INTERRUPT ADDRESS
ADDR 'A'
(2)
t AS (3)
t WR (4)
R/ W 'A'
t INS (3)
INT 'B'
2689 drw 16
INT Clear:
t RC
ADDR 'B'
OE 'B'
t AS
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
(3)
t INR
(3)
INT 'A'
2689 drw 17
NOTES: .
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either left or right port. Port “B” is the opposite from port “A”.
2. See Interrupt Truth Table II.
3. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is asserted last.
4. Timing depends on which enable signal ( CE or R/ W ) is de-asserted first.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| ATF22V10C-7JC | IC PLD 7NS 28PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7130SA20TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 20NS 64STQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7130SA25J | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7130SA25J8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7130SA25L48B | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 48LCC |
| IDT7130SA25PF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
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