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参数资料
| 型号： | IDT7130SA35P |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 15/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 8KBIT 35NS 48DIP |
| 标准包装： | 7 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-DIP（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 48-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 7130SA35P |
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read and BUSY (2,3,4)
t WC
ADDR "A"
MATCH
t WP
R/ W "A"
t DW
t DH
t APS
DATA IN"A"
ADDR "B"
(1)
VALID
MATCH
t BAA
t BDA
t BDD
BUSY "B"
t WDD
DATA OUT"B"
VALID
t DDD
2689 drw 12
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t BDD is ignored for slave (IDT7140).
2. CE L = CE R = V IL
3. OE = V IL for the reading port.
4. All timing is the same for the left and right ports. Port 'A' may be either the left or right port. Port "B" is opposite from port "A".
Timing Waveform of Write with BUSY (3)
t WP
R/ W "A"
t WB
BUSY "B"
t WH (1)
NOTES:
R/ W "B"
(2)
2689 drw 13
,
1. t WH must be met for both BUSY Input (IDT7140, slave) or Output (IDT7130 master).
2. BUSY is asserted on port "B" blocking R/ W "B" , until BUSY "B" goes HIGH.
3. All timing is the same for the left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is oppsite from port "A".
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| IDT7130SA35TF8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64STQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7130SA45J | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:Static RAM, 1Kx8, 52 Pin, Plastic, LDCC |
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