参数资料
型号: IDT7130SA35TF
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 8/21页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 8KBIT 35NS 64STQFP
标准包装: 40
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 8K (1K x 8)
速度: 35ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 64-LQFP
供应商设备封装: 64-TQFP(10x10)
包装: 托盘
其它名称: 7130SA35TF
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Data Retention Characteristics (LA Version Only)
7130LA/7140LA
Symbol
V DR
I CCDR
Parameter
V CC for Data Retention
Data Retention Current
Test Condition
V CC = 2.0V, CE > V CC -0.2V
MIL. & IND.
COM'L.
Min.
2.0
___
___
Typ. (1)
___
100
100
Max.
___
4000
1500
Unit
V
μA
t CDR
t R (3)
(3)
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
V IN > V CC -0.2V or V IN < 0.2V
0
t RC (2)
___
___
___
___
ns
ns
NOTES:
1. V CC = 2V, T A = +25°C, and is not production tested.
2. t RC = Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed but not production tested.
Data Retention Waveform
DATA RETENTION MODE
2689 tbl 07
V CC
4.5V
V DR ≥ 2.0V
4.5V
CE
t CDR
V IH
V DR
8
t R
V IH
2692 drw 06 ,
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PDF描述
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参数描述
IDT7130SA35TF8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64STQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)
IDT7130SA45J 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:Static RAM, 1Kx8, 52 Pin, Plastic, LDCC
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IDT7130SA55CB 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS SB48