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参数资料
| 型号： | IDT71321LA25PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 25NS 64TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71321LA25PF |
IDT71321SA/LA and IDT71421SA/LA
High Speed 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts
Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V CC = 5.0V ± 10%)
71321SA
71421SA
71321LA
71421LA
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Symbol
|I LI |
|I LO |
Parameter
(1)
(1)
Test Conditions
V CC = 5.5V, V IN = 0V to V CC
CE = V IH , V OUT = 0V to V CC ,
Min.
___
___
Max.
10
10
Min.
___
___
Max.
5
5
Unit
μA
μA
V CC - 5.5V
V OL
V OL
V OH
Output Low Voltage (I/O 0 -I/O 7 )
Open Drain Output
Low Voltage ( BUSY / INT )
Output High Voltage
I OL = 4mA
I OL = 16mA
I OH = -4mA
___
___
2.4
0.4
0.5
___
___
___
2.4
0.4
0.5
___
V
V
V
NOTE:
1. At Vcc < 2.0V leakages are undefined.
Data Retention Characteristics (LA Version Only)
2691 tbl 05
Symbol
V DR
Parameter
V CC for Data Retention
Test Condition
Min.
2.0
Typ. (1)
____
Max.
0
Unit
V
I CCDR
t CDR (3)
t R (3)
Data Retention Current
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
V CC = 2.0V, CE > V CC - 0.2V
V IN > V CC - 0.2V or VI N < 0.2V
COM'L
IND
____
____
0
t RC (2)
100
100
____
____
1500
4000
____
____
μA
μA
ns
ns
NOTES:
1. V CC = 2V, T A = +25°C, and is not production tested.
2. t RC = Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed but not production tested.
Data Retention Waveform
DATA RETENTION MODE
2691 tbl 06
V CC
4.5V
V DR ≥ 2.0V
4.5V
CE
t CDR
V DR
t R
V IH
5
6.42
V IH
2691 drw 04
,
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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