- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4106 > IDT7133SA35PF8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 32KBIT 35NS 100TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT7133SA35PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 32KBIT 35NS 100TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 32K（2K x 16） |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 7133SA35PF8 |
IDT7133SA/LA, IDT7143SA/LA
High-Speed 2K x 16 Dual-Port RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE NO. 1, EITHER SIDE (5)
t RC
ADDRESS
t AA
t OH
t OH
DATA OUT
BUSY OUT
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
TIMING WAVEFORM OF READ CYCLE NO. 2, EITHER SIDE (5)
(4)
t ACE
CE
t BDD
(3,4)
2746 drw 07
t AOE
(4)
t HZ
(2)
OE
t LZ
(1)
t HZ (2)
DATA OUT
I CC
CURRENT
I SB
t PU
50%
t LZ
(1)
VALID DATA
t PD
50%
2746 drw 08
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last, OE or CE .
2. Timing depends on which signal is deasserted first, OE or CE .
3. t BDD delay is required only in a case where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations, BUSY has no
relationship to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last, t AOE , t ACE , t AA, or t BDD .
5. R/ W = V IH , and the address is valid prior to or coincidental with CE transition LOW.
8
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V30L25TFG | IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP |
| IDT71V30L25TF | IC SRAM 8KBIT 25NS 64TQFP |
| ATF16LV8C-10XU | IC PLD 10NS 20TSSOP |
| ATF16V8CZ-15JU | IC PLD 15NS 20PLCC |
| ATF22V10C-7JU | IC PLD 7NS 28PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7133SA35PFG | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 35NS 100TQFP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT7133SA35PFG8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 32KBIT 35NS 100TQFP |
| IDT7133SA45G | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 45NS 68PGA RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:3,000 系列:- 格式 - 存储器:EEPROMs - 串行 存储器类型:EEPROM 存储容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 线串口 电源电压:1.7 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商设备封装:8-SOIC 包装:带卷 (TR) |
| IDT7133SA45J | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 45NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT7133SA45J8 | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 45NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。