- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4088 > IDT71342LA25PF (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 32KBIT 25NS 64TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT71342LA25PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 32KBIT 25NS 64TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 32K (4K x 8) |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71342LA25PF |
IDT71342SA/LA
High-Speed 4K x 8 Dual-Port Static RAM with Semaphore
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Read Cycle No. 1, Either Side (1,2,4)
t RC
ADDRESS
t OH
t AA
or t SAA
t OH
DATA OUT
PREVIOUS DATA VALID
DATA VALID
2721 drw 07
Timing Waveform of Read Cycle No. 2, Either Side (1,3)
t SOP
t ACE
CE or SEM
(5)
t SOP
t AOE (4)
t HZ
(2)
OE
DATA OUT
t LZ
(1)
VALID DATA
(4)
t HZ
(2)
I CC
t PU
t LZ
(1)
t PD
CURRENT
I SB
50%
50%
2721 drw 08
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last, OE or CE .
2. Timing depends on which signal is de-asserted first, OE or CE .
3. R/ W = V IH and OE = V IL , unless otherwise noted.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last; t AOE , t ACE , or t AA
5. To access SRAM, CE = V IL and SEM = V IH . To access semaphore, CE = V IH and SEM = V IL . t AA is for SRAM Address Access and t SAA is for Semaphore Address Access.
Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read (2,3)
t WC
ADDR "A"
R/ W "A"
(1)
MATCH
t WP
t DW
t DH
DATA IN "A"
ADDR "B"
VALID
MATCH
t WDD
DATA OUT "B"
NOTES:
1. Write cycle parameters should be adhered to, in order to ensure proper writing.
2. CE L = CE R = V IL. CE "B" = V IL.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
7
6.42
t DDD
VALID
2721 drw 09
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V67803S166BG8 | IC SRAM 9MBIT 166MHZ 119BGA |
| IDT7133LA25PFI8 | IC SRAM 32KBIT 25NS 100TQFP |
| IDT7133LA25PFGI8 | IC SRAM 32KBIT 25NS 100TQFP |
| IDT7143LA25PFI8 | IC SRAM 32KBIT 25NS 100TQFP |
| IDT71V67602S150PFG | IC SRAM 9MBIT 150MHZ 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT71342LA25PF8 | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71342LA25PFGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 32KBIT 25NS 64TQFP |
| IDT71342LA25PFGI8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 32KBIT 25NS 64TQFP |
| IDT71342LA25PFI | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT71342LA25PFI8 | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 25NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。