参数资料
型号: IDT71342LA25PFI
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 5/14页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 32KBIT 25NS 64TQFP
标准包装: 45
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 32K (4K x 8)
速度: 25ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 64-LQFP
供应商设备封装: 64-TQFP(14x14)
包装: 托盘
其它名称: 71342LA25PFI
IDT71342SA/LA
High-Speed 4K x 8 Dual-Port Static RAM with Semaphore
Data Retention Characteristics
(LA Version Only) V LC = 0.2V, V HC = V CC - 0.2V
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Symbol
V DR
Parameter
V CC for Data Retention
Test Condition
___
Min.
2.0
Typ. (1)
Max.
___
Unit
V
t R
t RC
I CCDR
t CDR (3)
(3)
Data Retention Current
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
V CC = 2V, CE > V HC
SEM > V HC
V IN > V HC or < V LC
COM'L. & IND.
___
0
(2)
100
___
___
1500
___
___
μA
ns
ns
NOTES:
1. V CC = 2V, T A = +25°C, and are not production tested.
2. t RC = Read Cycle Time.
3. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
Data Rention Waveform
DATA RETENTION MODE
2721 tbl 07
V CC
CE
4.5V
t CDR
V IH
V DR > 2V
V DR
4.5V
t R
V IH
2721 drw 04
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
5ns
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
2721 tbl 08
DATA OUT
+5V
1250 ?
DATA OUT
+5V
1250 ?
775 ?
30pF
775 ?
5pF *
2721 drw 05
Figure 1. AC Output Test Load
,
2721 drw 06
Figure 2. Output Test Load
,
(for t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
*Including scope and jig
5
6.42
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