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参数资料
| 型号： | IDT71342SA35PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 32KBIT 35NS 64TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 32K (4K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 71342SA35PF |
IDT71342SA/LA
High-Speed 4K x 8 Dual-Port Static RAM with Semaphore
Data Retention Characteristics
(LA Version Only) V LC = 0.2V, V HC = V CC - 0.2V
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Symbol
V DR
Parameter
V CC for Data Retention
Test Condition
___
Min.
2.0
Typ. (1)
Max.
___
Unit
V
t R
t RC
I CCDR
t CDR (3)
(3)
Data Retention Current
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
V CC = 2V, CE > V HC
SEM > V HC
V IN > V HC or < V LC
COM'L. & IND.
___
0
(2)
100
___
___
1500
___
___
μA
ns
ns
NOTES:
1. V CC = 2V, T A = +25°C, and are not production tested.
2. t RC = Read Cycle Time.
3. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
Data Rention Waveform
DATA RETENTION MODE
2721 tbl 07
V CC
CE
4.5V
t CDR
V IH
V DR > 2V
V DR
4.5V
t R
V IH
2721 drw 04
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
5ns
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
2721 tbl 08
DATA OUT
+5V
1250 ?
DATA OUT
+5V
1250 ?
775 ?
30pF
775 ?
5pF *
2721 drw 05
Figure 1. AC Output Test Load
,
2721 drw 06
Figure 2. Output Test Load
,
(for t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
*Including scope and jig
5
6.42
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