参数资料
型号: IDT7134LA35J8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 5/12页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 32KBIT 35NS 52PLCC
标准包装: 400
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 32K (4K x 8)
速度: 35ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 52-LCC(J 形引线)
供应商设备封装: 52-PLCC(19x19)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 7134LA35J8
IDT7134SA/LA
High-Speed 4K x 8 Dual-Port Static SRAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Data Retention Characteristics Over All Temperature Ranges
(LA Version Only) V LC = 0.2V, V HC = V CC - 0.2V
Symbol
V DR
Parameter
V CC for Data Retention
V CC = 2V
Test Condition
Min.
2.0
Typ. (1)
___
Max.
___
Unit
V
I CCDR
Data Retention Current
CE > V HC
MIL. & IND.
___
100
4000
μA
V IN > V HC or < V LC
COM'L.
___
100
1500
t CDR (3)
t R (3)
Chip Dese lect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
0
t RC (2)
___
___
___
___
ns
ns
NOTES:
1. V CC = 2V, T A = +25°C, and are not production tested.
2. t RC = Read Cycle Time.
3. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production tested.
Data Retention Waveform
DATA RETENTION MODE
2720 tbl 07
V CC
CE
4.5V
t CDR
V IH
V DR ≥ 2V
V DR
4.5V
t R
V IH
2720 drw 05
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
DATA OUT
+5V
1250 ?
GND to 3.0V
5ns
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
2720 tbl 08
DATA OUT
+5V
1250 ?
775 ?
30pF
2720 drw 06 ,
775 ?
5pF *
2720 drw 07
,
Figure 1. AC Output Test Load
5
Figure 2. Output Test Load
(for t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
*Including scope and jig
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PDF描述
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