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参数资料
| 型号： | IDT7134LA35P |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 5/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 32KBIT 35NS 48DIP |
| 标准包装： | 7 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 32K (4K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 48-DIP（0.600"，15.24mm） |
| 供应商设备封装： | 48-PDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 7134LA35P |
IDT7134SA/LA
High-Speed 4K x 8 Dual-Port Static SRAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Data Retention Characteristics Over All Temperature Ranges
(LA Version Only) V LC = 0.2V, V HC = V CC - 0.2V
Symbol
V DR
Parameter
V CC for Data Retention
V CC = 2V
Test Condition
Min.
2.0
Typ. (1)
___
Max.
___
Unit
V
I CCDR
Data Retention Current
CE > V HC
MIL. & IND.
___
100
4000
μA
V IN > V HC or < V LC
COM'L.
___
100
1500
t CDR (3)
t R (3)
Chip Dese lect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
0
t RC (2)
___
___
___
___
ns
ns
NOTES:
1. V CC = 2V, T A = +25°C, and are not production tested.
2. t RC = Read Cycle Time.
3. This parameter is guaranteed by device characterization, but not production tested.
Data Retention Waveform
DATA RETENTION MODE
2720 tbl 07
V CC
CE
4.5V
t CDR
V IH
V DR ≥ 2V
V DR
4.5V
t R
V IH
2720 drw 05
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
DATA OUT
+5V
1250 ?
GND to 3.0V
5ns
1.5V
1.5V
Figures 1 and 2
2720 tbl 08
DATA OUT
+5V
1250 ?
775 ?
30pF
2720 drw 06 ,
775 ?
5pF *
2720 drw 07
,
Figure 1. AC Output Test Load
5
Figure 2. Output Test Load
(for t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
*Including scope and jig
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AMC50DRXN | CONN EDGECARD 100PS .100 DIP SLD |
| IDT7134SA20J | IC SRAM 32KBIT 20NS 52PLCC |
| MPC875VR80 | IC MPU POWERQUICC 80MHZ 256PBGA |
| MPC8321CVRADDC | IC MPU PWRQUICC II 516-PBGA |
| AMC50DRXH | CONN EDGECARD 100PS .100 DIP SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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