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参数资料
| 型号： | IDT7140LA20J |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 10/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 8KBIT 20NS 52PLCC |
| 标准包装： | 24 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 52-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 52-PLCC（19x19） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 7140LA20J |
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature Supply Voltage Range (3)
7130X20 (2)
7140X20 (2)
Com'l Only
7130X25
7140X25
Com'l, Ind
& Military
7130X35
7140X35
Com'l
& Military
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
t ACE
t AOE
t OH
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Enable Access Time
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
20
____
____
____
3
____
20
20
11
____
25
____
____
____
3
____
25
25
12
____
35
____
____
____
3
____
35
35
20
____
ns
ns
ns
ns
ns
t LZ
Output Low-Z Time
(1,4)
0
____
0
____
0
____
ns
t HZ
t PU
Output High-Z Time (1,4)
Chip Enable to Power Up Time (4)
____
0
10
____
____
0
10
____
____
0
15
____
ns
ns
t PD
Chip Disable to Power Down Time
(4)
____
20
____
25
____
35
ns
2689 tbl 09a
7130X55
7140X55
Com'l, Ind
& Military
7130X100
7140X100
Com'l, Ind
& Military
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
t ACE
t AOE
t OH
t LZ
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Enable Access Time
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
Output Low-Z Time (1,4)
55
____
____
____
3
5
____
55
55
25
____
____
100
____
____
____
10
5
____
100
100
40
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,4)
____
25
____
40
ns
t PU
Chip Enable to Power Up Time
(4)
0
____
0
____
ns
t PD
Chip Disable to Power Down Time
(4)
____
50
____
50
ns
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage Output Test Load (Figure 2).
2. PLCC, TQFP and STQFP packages only.
3. 'X' in part numbers indicates power rating (SA or LA).
4. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
.
10
2689 tbl 09b
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ACB70DHBR | CONN EDGECARD 140PS R/A .050 DIP |
| IDT7130LA20J | IC SRAM 8KBIT 20NS 52PLCC |
| 3-1734592-5 | CONN FPC 35POS .5MM RT ANG SMD |
| EEC65DTES | CONN EDGECARD 130POS .100 EYELET |
| IDT71V321S25TF8 | IC SRAM 16KBIT 25NS 64STQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT7140LA20PF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 20NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
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