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参数资料
| 型号： | IDT7140SA25PFG |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| 中文描述： | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP64 |
| 封装： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, GREEN, TQFP-64 |
| 文件页数： | 16/19页 |
| 文件大小： | 149K |
| 代理商： | IDT7140SA25PFG |
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
6
Data Retention Waveform
VCC
CE
4.5V
DATA RETENTION MODE
tCDR
tR
VIH
VDR
VDR 2.0V
2692 drw 06
≥
,
Data Retention Characteristics (LA Version Only)
NOTES:
1. VCC = 2V, TA = +25°C, and is not production tested.
2. tRC = Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed but not production tested.
7130LA/7140LA
Symbol
Parameter
Test Condition
Min.
Typ.(1)
Max.
Unit
VDR
VCC for Data Retention
2.0
___
V
ICCDR
Data Retention Current
VCC = 2.0V,
CE > VCC -0.2V
MIL. & IND.
___
100
4000
A
COM'L.
___
100
1500
tCDR(3)
Chip Deselect to Data Retention Time
VIN > VCC -0.2V or VIN < 0.2V
0
___
ns
tR
(3)
Operation Recovery Time
tRC
(2)
___
ns
2689 tbl 07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 7140LA25PFG | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP64 |
| 7140LA55CGI | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CDIP48 |
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| 7140LA25JGI | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQCC52 |
| IDT7140SA25PFGB | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7140SA35C | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 48DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7140SA35CB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS SB48 |
| IDT7140SA35J | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7140SA35J8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7140SA35JI | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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