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参数资料
| 型号： | IDT7140SA35JGB |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| 中文描述： | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQCC52 |
| 封装： | 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52 |
| 文件页数： | 17/19页 |
| 文件大小： | 149K |
| 代理商： | IDT7140SA35JGB |
7
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
5V
1250
*100pF for 55 and 100ns versions
30pF*
775
DATAOUT
5V
1250
775
5pF*
DATAOUT
2689 drw 07
5V
270
30pF*
BUSY or INT
*100pF for 55 and 100ns versions
,
AC Test Conditions
Figure 3.
BUSY and INT
AC Output Test Load
Figure 1. Output Test Load
Figure 2. Output Test Load
(for tHZ, tLZ, tWZ, and tOW)
* including scope and jig
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
5ns
1.5V
Figures 1,2 and 3
2689 tbl 08
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7140SA25PG | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT7140SA35JI8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7140SA35L48B | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 48LCC |
| IDT7140SA35P | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 48DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7140SA35PF | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
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