- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4144 > IDT7140SA35PF8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT7140SA35PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 15/21页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 8K (1K x 8) |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 7140SA35PF8 |
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read and BUSY (2,3,4)
t WC
ADDR "A"
MATCH
t WP
R/ W "A"
t DW
t DH
t APS
DATA IN"A"
ADDR "B"
(1)
VALID
MATCH
t BAA
t BDA
t BDD
BUSY "B"
t WDD
DATA OUT"B"
VALID
t DDD
2689 drw 12
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t BDD is ignored for slave (IDT7140).
2. CE L = CE R = V IL
3. OE = V IL for the reading port.
4. All timing is the same for the left and right ports. Port 'A' may be either the left or right port. Port "B" is opposite from port "A".
Timing Waveform of Write with BUSY (3)
t WP
R/ W "A"
t WB
BUSY "B"
t WH (1)
NOTES:
R/ W "B"
(2)
2689 drw 13
,
1. t WH must be met for both BUSY Input (IDT7140, slave) or Output (IDT7130 master).
2. BUSY is asserted on port "B" blocking R/ W "B" , until BUSY "B" goes HIGH.
3. All timing is the same for the left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is oppsite from port "A".
15
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7130SA35PF8 | IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP |
| 65801-065LF | CLINCHER RECEPTACAL ASSY TIN |
| IDT71V3557S85PFGI | IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP |
| 65801-143LF | CLINCHER RECEPTACLE ASSY GOLD |
| IDT71V3557S80PFGI | IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7140SA45P | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:1K X 8 MULTI-PORT SRAM, 45 ns, PDIP48 |
| IDT7140SA55C | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 48DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7140SA55CB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS SB48 |
| IDT7140SA55J | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7140SA55J8 | 功能描述:IC SRAM 8KBIT 55NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。