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参数资料
| 型号： | IDT71421SA55PF8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 13/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 55NS 64TQFP |
| 标准包装： | 750 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 55ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 64-LQFP |
| 供应商设备封装： | 64-TQFP（14x14） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 71421SA55PF8 |
IDT71321SA/LA and IDT71421SA/LA
High Speed 2K x 8 Dual-Port Static RAM with Interrupts
Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of BUSY Arbitration Controlled by CE Timing (1)
ADDR "A"
AND "B"
CE "B"
CE "A"
t APS (2)
t BAC
ADDRESSES MATCH
t BDC
BUSY "A"
2691 drw 12
Timing Waveform of BUSY Arbritration Controlled
by Address Match Timing (1)
t RC or t WC
t APS
ADDR "A"
ADDR "B"
(2)
ADDRESSES MATCH
t BAA
ADDRESSES DO NOT MATCH
t BDA
BUSY "B"
2691 drw 13
NOTES:
1. All timing is the same for left and right ports. Port “A” may be either left or right port. Port “B” is the opposite from port “A”.
2. If t APS is not satisified, the BUSY will be asserted on one side or the other, but there is no guarantee on which side BUSY will be asserted (IDT71321 only).
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage Range (1)
71321X20
71421X20
Com'l Only
71321X25
71421X25
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
INTERRUPT TIMING
t AS
t WR
t INS
t INR
Address Set-up Time
Write Recovery Time
Interrupt Set Time
Interrupt Reset Time
0
0
____
____
____
____
20
20
0
0
____
____
____
____
25
25
ns
ns
ns
ns
NOTES:
1. 'X' in part numbers indicates power rating (SA or LA).
13
6.42
2691 tbl 11a
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 65801-026LF | CLINCHER RECEPTACLE ASSY TIN |
| IDT71321SA55PF8 | IC SRAM 16KBIT 55NS 64TQFP |
| ACC60DRYS-S93 | CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD |
| FMC19DREI | CONN EDGECARD 38POS .100 EYELET |
| ACC65DRYS | CONN EDGECARD 130PS .100 DIP SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7142LA100C | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 100NS 48DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1,000 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，同步 存储容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并联 电源电压:3.15 V ~ 3.45 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:256-LBGA 供应商设备封装:256-CABGA（17x17） 包装:带卷 (TR) 其它名称:70V3579S5BCI8 |
| IDT7142LA100CB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 16KBIT 100NS SB48 |
| IDT7142LA100J | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 100NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7142LA100J8 | 功能描述:IC SRAM 16KBIT 100NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA（6x8） 包装:带卷 (TR) |
| IDT7142LA100L48B | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 16KBIT 100NS 48LCC |
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