参数资料
型号: IDT7142LA100J8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 5/16页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 16KBIT 100NS 52PLCC
标准包装: 400
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 16K (2K x 8)
速度: 100ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: 0°C ~ 70°C
封装/外壳: 52-LCC(J 形引线)
供应商设备封装: 52-PLCC(19x19)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 7142LA100J8
IDT7132SA/LA and IDT 7142SA/LA
High Speed 2K x 8 Dual Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature Supply Voltage Range (V CC = 5.0V ± 10%)
7132SA
7142SA
7132LA
7142LA
Input Leakage Current
Symbol
|I LI |
Parameter
(1)
V CC = 5.5V,
Test Conditions
Min.
___
Max.
10
Min.
___
Max.
5
Unit
μA
V IN = 0V to V CC
|I LO |
V OL
V OL
V OH
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Open Drain Output
Low Voltage ( BUSY )
Output High Voltage
V CC = 5.5V,
CE = V IH , V OUT = 0V to V CC
I OL = 4mA
I OL = 16mA
I OH = -4mA
___
___
___
2.4
10
0.4
0.5
___
___
___
___
2.4
5
0.4
0.5
___
μA
V
V
V
2692 tbl 05
NOTE:
1. At Vcc < 2.0V leakages are undefined.
Data Retention Characteristics (LA Version Only)
Symbol
V DR
Parameter
V CC for Data Retention
V CC = 2.0V
Test Condition
Min.
2.0
Typ. (1)
___
Max.
___
Unit
V
I CCDR
t CDR (3)
t R (3)
Data Retention Current
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
CE > V CC -0.2V
V IN > V CC -0.2V or
V IN < 0.2V
Mil. & Ind.
Com'l.
___
___
0
t RC (2)
100
100
___
___
4000
1500
___
___
μA
μA
ns
ns
NOTES:
1. V CC = 2V, T A = +25°C, and is not production tested.
2. t RC = Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed but not production tested.
Data Retention Waveform
DATA RETENTION MODE
2692 tbl 06
V CC
4.5V
V DR ≥ 2.0V
4.5V
CE
t CDR
V DR
t R
V IH
5
6.42
V IH
2692 drw 05
,
相关PDF资料
PDF描述
IDT71421LA55J8 IC SRAM 16KBIT 55NS 52PLCC
IDT7132LA55J8 IC SRAM 16KBIT 55NS 52PLCC
IDT7132LA100J8 IC SRAM 16KBIT 100NS 52PLCC
IDT71321LA55J8 IC SRAM 16KBIT 55NS 52PLCC
IDT7130SA35TF8 IC SRAM 8KBIT 35NS 64STQFP
相关代理商/技术参数
参数描述
IDT7142LA100L48B 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 16KBIT 100NS 48LCC
IDT7142LA100P 功能描述:IC SRAM 16KBIT 100NS 48DIP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 异步 存储容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并联 电源电压:2.2 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-VFBGA 供应商设备封装:48-VFBGA(6x8) 包装:带卷 (TR)
IDT7142LA20J 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT7142LA20J8 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 52PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI
IDT7142LA20JG 功能描述:IC SRAM 16KBIT 20NS 52PLCC RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP(14x14) 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI