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参数资料
| 型号： | IDT7142LA20JG8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 8/16页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 16KBIT 20NS 52PLCC |
| 标准包装： | 400 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 16K (2K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 52-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 52-PLCC（19x19） |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 7142LA20JG8 |
IDT7132SA/LA and IDT 7142SA/LA
High Speed 2K x 8 Dual Port Static RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Read Cycle No. 1, Either Side (1)
t RC
ADDRESS
t OH
t AA
t OH
DATA OUT
BUSY OUT
PREVIOUS DATA VALID
t BDDH (2,3)
DATA VALID
2692 drw 07
Timing Waveform of Read Cycle No. 2, Either Side (1)
t ACE
CE
OE
DATA OUT
t AOE (3)
t LZ (4)
t HZ (5)
VALID DATA
t HZ (5)
t LZ
I CC
CURRENT
t PU
50%
(4)
t PD (3)
50%
I SS
2692 drw 08
NOTES:
1. R/ W = V IH, CE = V IL, and is OE = V IL. Address is valid prior to the coincidental with CE transition LOW.
2. t BDD delay is required only in the case where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations, BUSY has
no relationship to valid output data.
3. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t AOE , t ACE , t AA , and t BDD .
4. Timing depends on which signal is asserted last, OE or CE .
5. Timing depends on which signal is de-asserted first, OE or CE .
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 2-84981-1 | CONN FFC 21POS 1.00MM R/A SMD |
| IDT7142LA20J8 | IC SRAM 16KBIT 20NS 52PLCC |
| IDT71421LA20JG8 | IC SRAM 16KBIT 20NS 52PLCC |
| ATF20V8B-10PU | IC PLD 10NS 24DIP |
| ATF16LV8C-10PI | IC PLD EE 8CELL 3V LP 20-DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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