- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录4084 > IDT7143LA25J (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 32KBIT 25NS 68PLCC PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT7143LA25J |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 32KBIT 25NS 68PLCC |
| 标准包装： | 18 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 32K（2K x 16） |
| 速度： | 25ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 68-LCC（J 形引线） |
| 供应商设备封装： | 68-PLCC（24x24） |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 7143LA25J |
IDT7133SA/LA, IDT7143SA/LA
High-Speed 2K x 16 Dual-Port RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics Over the
Operating Temperature and Supply Voltage (3)
7133X20
7143X20
Com'l Only
7133X25
7143X25
Com'l & Ind
7133X35
7143X35
Com'l
& Military
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
t ACE
t AOE
t OH
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Enable Access Time
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
20
____
____
____
0
____
20
20
12
____
25
____
____
____
0
____
25
25
15
____
35
____
____
____
0
____
35
35
20
____
ns
ns
ns
ns
ns
t LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
0
____
0
____
0
____
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
12
____
15
____
20
ns
t PU
Chip Enable to Power Up Time
(2)
0
____
0
____
0
____
ns
t PD
Chip Disable to Power Down Time
(2)
____
20
____
50
____
50
ns
2746 tbl 10a
7133X45
7143X45
Com'l Only
7133X55
7143X55
Com'l, Ind
& Military
7133X70/90
7143X70/90
Com'l &
Military
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
READ CYCLE
t RC
t AA
t ACE
t AOE
t OH
Read Cycle Time
Address Access Time
Chip Enable Access Time
Output Enable Access Time
Output Hold from Address Change
45
____
____
____
0
____
45
45
25
____
55
____
____
____
0
____
55
55
30
____
70/90
____
____
____
0/0
____
70/90
70/90
40/40
____
ns
ns
ns
ns
ns
t LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
0
____
5
____
5/5
____
ns
t HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
20
____
20
____
25/25
ns
t PU
Chip Enable to Power Up Time
(2)
0
____
0
____
0/0
____
ns
t PD
Chip Disable to Power Down Time
(2)
____
50
____
50
____
50/50
ns
2746 tbl 10b
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. 'X' in part number indicates power rating (SA or LA).
7
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ASC65DRYI-S734 | CONN EDGECARD 130PS DIP .100 SLD |
| ACB90DHAS | CONN EDGECARD 180PS R/A .050 DIP |
| AMM40DTMN | CONN EDGECARD 80POS R/A .156 SLD |
| AMM40DTMD | CONN EDGECARD 80POS R/A .156 SLD |
| AMM40DTMH | CONN EDGECARD 80POS R/A .156 SLD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7143LA25J8 | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT7143LA25JGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述: |
| IDT7143LA25JI | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
| IDT7143LA25JI8 | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT7143LA25PF | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 25NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:45 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 双端口，异步 存储容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:70V25S15PF |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。