参数资料
型号: IDT7143LA25JI8
厂商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件页数: 6/17页
文件大小: 0K
描述: IC SRAM 32KBIT 25NS 68PLCC
标准包装: 250
格式 - 存储器: RAM
存储器类型: SRAM - 双端口,异步
存储容量: 32K(2K x 16)
速度: 25ns
接口: 并联
电源电压: 4.5 V ~ 5.5 V
工作温度: -40°C ~ 85°C
封装/外壳: 68-LCC(J 形引线)
供应商设备封装: 68-PLCC(24x24)
包装: 带卷 (TR)
其它名称: 7143LA25JI8
IDT7133SA/LA, IDT7143SA/LA
High-Speed 2K x 16 Dual-Port RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Data Retention Characteristics
(LA Version Only) V LC = 0.2V, V HC = V CC - 0.2V
7133LA/7143LA
Symbol
V DR
Parameter
V CC for Data Retention
V CC = 2V
Test Condition
Min.
2.0
Typ. (1)
___
Max.
___
Unit
V
I CCDR
Data Retention Current
CE > V HC
MIL. & IND.
___
100
4000
μA
V IN > V HC or < V LC
COM'L.
___
100
1500
t CDR
t R (3)
(3)
Chip Deselect to Data Retention Time
Operation Recovery Time
0
t RC (2)
___
___
___
___
V
V
NOTES:
1. Vcc = 2V, T A = +25°C, and are not production tested.
2. t RC = Read Cycle Time
3. This parameter is guaranteed by device characterization but is not production tested.
Data Retention Waveform
DATA RETENTION MODE
2746 tbl 08
V CC
CE
t CDR
4.5V
V IH
V DR > 2V
V DR
4.5V
V IH
t R
2746 drw 05
AC Test Conditions
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
GND to 3.0V
5ns Max.
1.5V
DATA OUT
5V
1250 ?
Output Reference Levels
Output Load
1.5V
Figures 1, 2 and 3
775 ?
30pF
2746 tbl 09
Figure 1. AC Output Test Load
DATA OUT
5V
1250 ?
BUSY
5V
270 ?
775 ?
5pF*
30pF
2746 drw 06
Figure 2. Output Load
(for t LZ , t HZ , t WZ , t OW )
*Including scope and jig
6.42
Figure 3. BUSY Output Load
(IDT7133 only)
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IDT7143LA35FB 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 32KBIT 35NS 68FPACK