参数资料
型号: IDT7143SA35FB
厂商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分类: DRAM
英文描述: HIGH-SPEED 2K x 16 CMOS DUAL-PORT STATIC RAMS
中文描述: 2K X 16 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CQFP68
封装: FP-68
文件页数: 7/16页
文件大小: 140K
代理商: IDT7143SA35FB
6.42
IDT7133SA/LA, IDT7143SA/LA
High-Speed 2K x 16 Dual-Port RAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
%*.5*
.$-123
!
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with load (Figure 2).
2.
This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3.
'X' in part number indicates power rating (SA or LA).
7133X20
7143X20
Com'l Only
7133X25
7143X25
Com'l, Ind
& Mlitary
7133X35
7143X35
Com'l, Ind
& Mlitary
Unit
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
20
____
25
____
35
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
20
____
25
____
35
ns
t
ACE
Chip Enable Access Time
____
20
____
25
____
35
ns
t
AOE
Output Enable Access Time
____
12
____
15
____
20
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
0
____
0
____
0
____
ns
t
LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
0
____
0
____
0
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
12
____
15
____
20
ns
t
PU
Chip Enable to Power Up Time
(2)
0
____
0
____
0
____
ns
t
PD
Chip Disable to Power Down Time
(2)
____
20
____
50
____
50
ns
2746 tbl 10a
7133X45
7143X45
Com'l &
Military
7133X55
7143X55
Com'l, Ind
& Mlitary
7133X70/90
7143X70/90
Com'l &
Military
Unit
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
45
____
55
____
70/90
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
45
____
55
____
70/90
ns
t
ACE
Chip Enable Access Time
____
45
____
55
____
70/90
ns
t
AOE
Output Enable Access Time
____
25
____
30
____
40/40
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
0
____
0
____
0/0
____
ns
t
LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
0
____
5
____
5/5
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
20
____
20
____
25/25
ns
t
PU
Chip Enable to Power Up Time
(2)
0
____
0
____
0/0
____
ns
t
PD
Chip Disable to Power Down Time
(2)
____
50
____
50
____
50/50
ns
2746 tbl 10b
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PDF描述
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