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参数资料
| 型号： | IDT7143SA35G |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 1/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 32KBIT 35NS 68PGA |
| 标准包装： | 3 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 32K（2K x 16） |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 68-BPGA |
| 供应商设备封装： | 68-PGA（29.46x29.46） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7143SA35G |
HIGH SPEED
2K X 16 DUAL-PORT
SRAM
IDT7133SA/LA
IDT7143SA/LA
High-speed access
Low-power operation
Versatile control for write: separate write control for lower
Features
◆
– Military: 35/55/70/90ns (max.)
– Industrial: 25/55ns (max.)
– Commercial: 20/25/35/45/55/70/90ns (max.)
◆
– IDT7133/43SA
Active: 1150mW (typ.)
Standby: 5mW (typ.)
– IDT7133/43LA
Active: 1050mW (typ.)
Standby: 1mW (typ.)
◆
and upper byte of each port
Functional Block Diagram
R/ W LUB
CE L
R/ W LLB
OE L
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
◆
MASTER IDT7133 easily expands data bus width to 32 bits
or more using SLAVE IDT7143
On-chip port arbitration logic (IDT7133 only)
BUSY output flag on IDT7133; BUSY input on IDT7143
Fully asynchronous operation from either port
Battery backup operation–2V data retention
TTL-compatible; single 5V (±10%) power supply
Available in 68-pin ceramic PGA, Flatpack, PLCC and 100-
pin TQFP
Military product compliant to MIL-PRF-38535 QML
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is available
for selected speeds
Green parts available, see ordering information
R/ W RUB
CE R
R/ W RLB
OE R
BUSY R
I/O 8L - I/O 15L
I/O 0L - I/O 7L
BUSY L (1)
I/O
CONTROL
I/O
CONTROL
I/O 8R - I/O 15R
I/O 0R - I/O 7R
(1)
A 10L
A 0L
ADDRESS
DECODER
MEMORY
ARRAY
ADDRESS
DECODER
A 10R
A 0R
11
11
CE L
ARBITRATION
LOGIC
CE R
(IDT7133 ONLY)
2746 drw 01
NOTE:
1. IDT7133 (MASTER): BUSY is open drain output and requires pull-up resistor.
IDT7143 (SLAVE): BUSY is input.
JANUARY 2012
1
?2013 Integrated Device Technology, Inc.
DSC 2746/14
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT7143SA35J | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT7143SA35J8 | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT7143SA35PF | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
| IDT7143SA35PF8 | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 35NS 100TQFP RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
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