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参数资料
| 型号： | IDT7143SA35PF |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 12/17页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 32KBIT 35NS 100TQFP |
| 标准包装： | 45 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 双端口，异步 |
| 存储容量： | 32K（2K x 16） |
| 速度： | 35ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 100-LQFP |
| 供应商设备封装： | 100-TQFP（14x14） |
| 包装： | 托盘 |
| 其它名称： | 7143SA35PF |
IDT7133SA/LA, IDT7143SA/LA
High-Speed 2K x 16 Dual-Port RAM
Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read and BUSY (1,2,3)
t WC
ADDR "A"
MATCH
t WP
R/ W "A"
t APS
DATA IN"A"
(1)
t DW
VALID
t DH
ADDR "B"
MATCH
t DDD
BUSY "B"
t WDD
DATA OUT "B"
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins, t APS is ignored for Slave (IDT7143).
2. CE L = CE R = V IL
3. OE = V IL for the reading port.
4. All timing is the same for left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is the port opposite from port "A".
Timing Waveform of Write with BUSY (3)
t WP
R/ W "A"
t WB
(4)
t BDA
t BDD
VALID
2746 drw 11
BUSY "B"
R/ W "B"
(2)
t WH
(1)
,
NOTES:
2746 drw 12
1. t WH must be met for both BUSY input (IDT7143, slave) and output (IDT7133, master).
2. BUSY is asserted on port "B" blocking R/ W "B" , until BUSY "B" goes HIGH.
3. All timing is the same for left and right ports. Port " A " may be either left or right port. Port " B " is the opposite from port " A ".
12
6.42
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7133SA35PF | IC SRAM 32KBIT 35NS 100TQFP |
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| IDT7133SA35PFG | IC SRAM 32KBIT 35NS 100TQFP |
| FMC35DRYH | CONN EDGECARD 70POS DIP .100 SLD |
| HMC60DRAI-S734 | CONN EDGECARD 120PS .100 R/A PCB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IDT7143SA55J8 | 功能描述:IC SRAM 32KBIT 55NS 68PLCC RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x14） 包装:托盘 其它名称:71V67703S75PFGI |
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