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参数资料
| 型号： | IDT7164L35EB |
| 厂商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分类： | SRAM |
| 英文描述： | 8K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, CDFP28 |
| 封装： | CERPACK-28 |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 282K |
| 代理商： | IDT7164L35EB |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT7164S25TC | 8K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, CDIP28 |
| 5962-8552510ZA | 8K X 8 STANDARD SRAM, 55 ns, CDIP28 |
| IDT71682SA35L8 | 4K X 4 STANDARD SRAM, 35 ns, CQCC28 |
| IDT71B64S10L328 | 8K X 8 STANDARD SRAM, 10 ns, CQCC32 |
| IDT71V2576S150BGI | 128K X 36, 256K X 18 3.3V Synchronous SRAMs 2.5V I/O, Pipelined Outputs, Burst Counter, Single Cycle Deselect |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7164L35P | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述: |
| IDT7164L35TCB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:Static RAM, 8Kx8, 28 Pin, Ceramic, DIP |
| IDT7164L35TDB | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 64KBIT 35NS 28CDIP |
| IDT7164L35Y | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 35NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT7164L35YG | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 35NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
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