- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录22159 > IDT7164S20Y8 (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT7164S20Y8 |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 6/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 29/Apr/2010 |
| 标准包装： | 1,000 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 64K (8K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 28-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 28-SOJ |
| 包装： | 带卷 (TR) |
| 其它名称： | 7164S20Y8 |
IDT7164S/L
CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit)
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges
AC Electrical Characteristics (con't.) (V CC = 5.0V ± 10%, Military Temperature Ranges)
7 1 6 4 S 3 5
7 1 6 4 L 3 5
7 1 6 4 S 4 5
7 1 6 4 L 4 5
7 1 6 4 S 5 5
7 1 6 4 L 5 5
7 1 6 4 S 7 0
7 1 6 4 L 7 0
7 1 6 4 S 8 5 / 1 0 0
7 1 6 4 L 8 5 / 1 0 0
S y m b o l
P a r a m e t e r
M a x .
M i n .
M i n .
M a x .
M i n .
M a x .
M i n .
M a x .
M i n .
M a x .
U n i t
R e a d C y c l e
t O L Z
t RC
t A A
t A C S 1 ( 1 )
t A C S 2 ( 1 )
t C L Z 1 , 2 ( 2 )
t O E
( 2 )
t C H Z 1 , 2 ( 2 )
t O H Z ( 2 )
t O H
t P U ( 2 )
t P D ( 2 )
R e a d C y c l e T i m e
A d d r e s s A c c e s s T i m e
C h i p S e l e c t - 1 A c c e s s T i m e
C h i p S e l e c t - 2 A c c e s s T i m e
C h i p S e l e c t - 1 , 2 t o O u t p u t i n L o w - Z
O u t p u t E n a b l e t o O u t p u t V a l i d
O u t p u t E n a b l e t o O u t p u t i n L o w - Z
C h i p S e l e c t - 1 , 2 t o O u t p u t i n H i g h - Z
O u t p u t D i s a b l e t o O u t p u t i n H i g h - Z
O u t p u t H o l d f r o m A d d r e s s C h a n g e
C h i p S e l e c t t o P o w e r U p T i m e
C h i p D e s e l e c t t o P o w e r D o w n T i m e
3 5
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
5
_ _ _ _
0
_ _ _ _
_ _ _ _
5
0
_ _ _ _
_ _ _ _
3 5
3 5
4 0
_ _ _ _
1 8
_ _ _ _
1 5
1 5
_ _ _ _
_ _ _ _
3 5
4 5
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
5
_ _ _ _
0
_ _ _ _
_ _ _ _
5
0
_ _ _ _
_ _ _ _
4 5
4 5
4 5
_ _ _ _
2 5
_ _ _ _
2 0
2 0
_ _ _ _
_ _ _ _
4 5
5 5
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
5
_ _ _ _
0
_ _ _ _
_ _ _ _
5
0
_ _ _ _
_ _ _ _
5 5
5 5
5 5
_ _ _ _
3 0
_ _ _ _
2 5
2 5
_ _ _ _
_ _ _ _
5 5
7 0
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
5
_ _ _ _
0
_ _ _ _
_ _ _ _
5
0
_ _ _ _
_ _ _ _
7 0
7 0
7 0
_ _ _ _
3 5
_ _ _ _
3 0
3 0
_ _ _ _
_ _ _ _
7 0
8 5 / 1 0 0
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
5
_ _ _ _
0
_ _ _ _
_ _ _ _
5
0
_ _ _ _
_ _ _ _
8 5 / 1 0 0
8 5 / 1 0 0
8 5 / 1 0 0
_ _ _ _
4 0
_ _ _ _
3 5
3 5
_ _ _ _
_ _ _ _
8 5 / 1 0 0
n s
n s
n s
n s
n s
n s
n s
n s
n s
n s
n s
n s
W r i t e C y c l e
t W C
t C W 1 , 2
t A W
t A S
t W P
t W R 1
t W R 2
t W H Z ( 2 )
t D W
t D H 1
t D H 2
t O W ( 2 )
W r i t e C y c l e T i m e
C h i p S e l e c t t o E n d - o f - W r i t e
A d d r e s s V a l i d t o E n d - o f - W r i t e
A d d r e s s S e t - u p T i m e
W r i t e P u l s e W i d t h
W r i t e R e c o v e r y T i m e ( C S 1 , W E )
W r i t e R e c o v e r y T i m e ( C S 2 )
W r i t e E n a b l e t o O u t p u t i n H i g h - Z
D a t a t o W r i t e T i m e O v e r l a p
D a t a H o l d f r o m W r i t e T i m e ( C S 1 , W E )
D a t a H o l d f r o m W r i t e T i m e ( C S 2 )
O u t p u t A c t i v e f r o m E n d - o f - W r i t e
3 5
2 5
2 5
0
2 5
0
5
_ _ _ _
1 5
0
5
4
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
1 4
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
4 5
3 3
3 3
0
2 5
0
5
_ _ _ _
2 0
0
5
4
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
1 8
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
5 5
5 0
5 0
0
5 0
0
5
_ _ _ _
2 5
0
5
4
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
2 5
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
7 0
6 0
6 0
0
6 0
0
5
_ _ _ _
3 0
0
5
4
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
3 0
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
8 5 / 1 0 0
7 5
7 5
0
7 5
0
5
_ _ _ _
3 5
0
5
4
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
3 5
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
n s
n s
n s
n s
n s
n s
n s
n s
n s
n s
n s
n s
2 9 6 7 t b l 1 3
NOTES:
1. Both chip selects must be active for the device to be selected.
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
6
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| AD7741BR-REEL | IC CONVERTER V TO FREQ 8-SOIC |
| IDT7164S20Y | IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ |
| R0.25D12-1215/H | CONV DC/DC 0.25W 12VIN +/-15VOUT |
| R0.25D12-1212/P | CONV DC/DC 0.25W 12VIN +/-12VOUT |
| IDT7164S20TPI | IC SRAM 64KBIT 20NS 28DIP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7164S20YG | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
| IDT7164S20YG8 | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
| IDT7164S20YGI | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT7164S20YGI8 | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT7164S20YI | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。