- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录22159 > IDT7164S20Y (IDT, Integrated Device Technology Inc)IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IDT7164S20Y |
| 厂商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件页数： | 7/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 29/Apr/2010 |
| 标准包装： | 27 |
| 格式 - 存储器： | RAM |
| 存储器类型： | SRAM - 异步 |
| 存储容量： | 64K (8K x 8) |
| 速度： | 20ns |
| 接口： | 并联 |
| 电源电压： | 4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳： | 28-BSOJ |
| 供应商设备封装： | 28-SOJ |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | 7164S20Y |
IDT7164S/L
CMOS Static RAM 64K (8K x 8-Bit)
Timing Waveform of Read Cycle No. 1 (1)
t RC
ADDRESS
t AA
OE
t OE
t OLZ (5)
CS 2
t ACS2
t CLZ2 (5)
CS 1
t ACS1
t CLZ1(5)
DATA OUT
Military, Commercial, and Industrial Temperature Ranges
t OH
t CHZ2 (5)
t OHZ (5)
t CHZ1 (5)
DATA VALID
2967 drw 05
Timing Waveform of Read Cycle No. 2 (1,2,4)
t RC
ADDRESS
DATA OUT
t OH
t AA
DATA VALID
t OH
2967 drw 06
Timing Waveform of Read Cycle No. 3 (1,3,4)
CS 1
CS 2
t ACS2
t CLZ2 (5)
t ACS1
t CLZ1 (5)
t CHZ2
t CHZ1
(5)
(5)
DATA OUT
I CC
POWER
SUPPLY
t PU
DATA VALID
CURRENT
NOTES:
I SB
t PD
1. WE is HIGH for Read cycle.
2. Device is continuously selected, CS 1 is LOW , CS 2 is HIGH.
3. Address valid prior to or coincident with CS 1 transition LOW and CS 2 transition HIGH.
4. OE is LOW.
5. Transition is measured ±200mV from steady state.
7
6.42
2967 drw 07
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R0.25D12-1215/H | CONV DC/DC 0.25W 12VIN +/-15VOUT |
| R0.25D12-1212/P | CONV DC/DC 0.25W 12VIN +/-12VOUT |
| IDT7164S20TPI | IC SRAM 64KBIT 20NS 28DIP |
| VJ1808Y472KXEAT5Z | CAP CER 4700PF 500V 10% X7R 1808 |
| R0.25D12-1212/H | CONV DC/DC 0.25W 12VIN +/-12VOUT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IDT7164S20Y8 | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ RoHS:否 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 产品变化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 标准包装:136 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步，DDR II 存储容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并联 电源电压:1.7 V ~ 1.9 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:165-TBGA 供应商设备封装:165-CABGA（13x15） 包装:托盘 其它名称:71P71804S200BQ |
| IDT7164S20YG | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
| IDT7164S20YG8 | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:闪存 - NAND 存储容量:4G（256M x 16） 速度:- 接口:并联 电源电压:2.7 V ~ 3.6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽） 供应商设备封装:48-TSOP I 包装:Digi-Reel® 其它名称:557-1461-6 |
| IDT7164S20YGI | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| IDT7164S20YGI8 | 功能描述:IC SRAM 64KBIT 20NS 28SOJ RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。